1.一种分析中子源的初级中子辐射的方法,一种配备有束控制器的中子源和束控制器。2.1已知的束控制器是布置在初级中子束中的裂变室。在由中子触发的裂变过程中,在裂变室中生成自由电荷载流子,所述电荷载流子产生电离脉冲,当施加电压时,该电离脉冲可以对中子计数。在裂变期间,副产物会产生不需要的快速中子和高能伽马射线。缓慢的中子通量可通过充满裂变室的气体进一步减弱。这些缺点可以通过新的工艺,新的中子源和新的射束控制器来避免。2.2中子通过扩散膜(4)从初级中子辐射(1)中非相干地散射。散射中子(5)的一部分与探测器装置(6)相遇,探测器装置(6)布置在初级中子辐射(1)的外部。波束控制器(2)可以很好地配置为能够确定初级中子辐射(1)中的中子的空间分布以及脉冲中子源情况下的光谱分布.2.3辐射分析中子的初级中子中子源,包括脉冲散裂中子源。 P>
公开/公告号FR2788347A1
专利类型
公开/公告日2000-07-13
原文格式PDF
申请/专利权人 FORSCHUNGSZENTRUM JULICH GMBH;
申请/专利号FR20000000324
发明设计人 JAKOB SCHELTEN;
申请日2000-01-12
分类号G01T3/06;G21G4/02;G21K1/10;
国家 FR
入库时间 2022-08-22 01:39:40