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CHEMICAL SOLUTIONS FOR REMOVING METAL-COMPOUND CONTAMINANTS FROM WAFERS AFTER CMP AND THE METHOD OF WAFER CLEANING

机译:CMP后去除硅片中金属杂质的化学溶液及硅片清洗方法

摘要

A process and solution for cleaning Fe contaminants bound to a metallized semiconductor surface after CMP planarization. The solution comprises a pH buffered solution including hydrofluoric acid and a ligand selected from a group consisting of citrates and EDTA.
机译:在CMP平坦化之后,用于清洁结合到金属化的半导体表面上的Fe污染物的方法和溶液。该溶液包括pH缓冲溶液,该溶液包括氢氟酸和选自柠檬酸盐和EDTA的配体。

著录项

  • 公开/公告号WO9626538A1

    专利类型

  • 公开/公告日1996-08-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ADVANCED MICRO DEVICES INC.;

    申请/专利号WO1996US00156

  • 发明设计人 AVANZINO STEVEN C.;SCHONAUER DIANA M.;

    申请日1996-01-11

  • 分类号H01L21/306;H01L21/321;

  • 国家 WO

  • 入库时间 2022-08-22 03:48:42

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