(2)使(1)中的熔体与氧化镁或单晶材料接触;
(3)以0.3°-2°C / min的速率降低熔体的温度,直到温度在820°C至890°C的范围内;
(4)分离熔体和氧化镁衬底或单晶材料,以获得超导外延膜; & P& P&(5)在(4)中淬火所述膜直至其温度达到室温,从而获得厚度为40-150μm的超导外延膜。
公开/公告号US5004723A
专利类型
公开/公告日1991-04-02
原文格式PDF
申请/专利号US19890305004
申请日1989-01-31
分类号B01D9/00;H01L39/12;
国家 US
入库时间 2022-08-22 05:46:45