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SEMICONDUCTOR DYNAMIC MEMORY DEVICE WITH METAL-LEVEL SELECTION OF PAGE MODE OR NIBBLE MODE

机译:具有页面模式或敏捷模式的金属级别选择的半导体动态存储器

摘要

A semiconductor dynamic memory device contains circuitry for implementing either page mode or nibble mode access using a selected conductor connection. A clock voltage used in column decoding and outputting is coupled either from the column strobe or the &upbar& C input by a conductor so that the clock voltage is rendered either dependent upon or independent from the cycling of the column strobe.
机译:半导体动态存储器件包含用于使用所选导体连接来实现页面模式或半字节模式访问的电路。在列解码和输出中使用的时钟电压通过导体从列选通脉冲或输入的&upbar&C耦合,从而使时钟电压取决于列选通脉冲的周期或独立于列选通脉冲的循环。

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