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机译:sio 2 / si 3n deep deep deep 4 isolatorschichten的mos器件的制造工艺
公开/公告号DD286460A5
专利类型
公开/公告日1991-01-24
原文格式PDF
申请/专利权人 AKAD WISSENSCHAFTEN DDR DE;
申请/专利号DD19870300931
发明设计人 KIRSCHT FRITZ-GUENTER DE;SCHMALZ KLAUS DE;RICHTER HANS DE;TITEL WOLFGANG DE;KRAUSE RAINER DE;
申请日1987-03-19
分类号H01L21/477;
国家 DD
入库时间 2022-08-22 05:59:16
机译: sio 2 / si 3n deep deep deep 4 isolatorschichten的mos器件的制造工艺
机译: schmelzgegossener al 2 o 3体系的耐火材料深深深深-cr 2 o 3-自己的尺寸,深2-sio 2及其制造方法
机译: 氧化铝含量高且镁深2 o深3-sio深2或cao-al深2 o深3-sio深2-玻璃含量的陶瓷组合物