退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
机译:硅中用于平面扩散的集中砷源或磷源的制造方法
公开/公告号PL264595A1
专利类型
公开/公告日1988-10-27
原文格式PDF
申请/专利权人
申请/专利号PL19870264595
发明设计人
申请日1987-03-11
分类号C30B;H01L;
国家 PL
入库时间 2022-08-22 06:59:02
机译: 硅中用于平面扩散的集中砷源或磷源的制造方法
机译: 在半导体表面上生产含硼,磷,砷或镓的绝无可能扩散的硼,磷,砷或镓的潜在化合物的方法