Rochester Institute of Technology.;
机译:通过在n型锗上插入用于超浅欧姆接触的超薄硅层来抑制磷δ掺杂层的表面偏析
机译:通过rf-PECVD在175℃下准外延生长硼和磷掺杂的硅膜而形成的超浅结
机译:插入氧层对硼,磷和砷在硅中扩散的影响,形成超浅结
机译:来自预沉积的RPCVD单层的砷和磷的超浅掺杂剂扩散
机译:在绝缘体纳米MOSFET上使用单层栅极完全耗尽的硅进行分子感测。
机译:防止磷扩散的硅溶胶基旋涂阻挡层用于晶体硅太阳能电池
机译:在磷扩散之前沉积具有薄硅钝化膜的晶体硅太阳能电池
机译:结合硅的点缺陷扩散和相互作用的紧束缚分子动力学模拟