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PLASMA PASSIVATION TECHNIQUE FOR PREVENTING EROSION OF ALUMINUM FILM SUBJECTED TO PLASMA ETCHING AFTER ETCHING TREATMENT

机译：等离子体钝化技术，用于防止在蚀刻处理后遭受铝离子腐蚀的铝膜腐蚀

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摘要

A method for preventing the post-etch corrosion of aluminum or aluminum alloy film which has been etched utilizing chlorinated plasma wherein the etched film is exposed to fluorinated plasma.

机译：一种用于防止已经使用氯化等离子体蚀刻的铝或铝合金膜的蚀刻后腐蚀的方法，其中将蚀刻的膜暴露于氟化等离子体。

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公开/公告号JPS63125685A

专利类型
公开/公告日1988-05-28

原文格式PDF
申请/专利权人 FAIRCHILD CAMERA & INSTR CORP;
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申请/专利号JP19870159932
发明设计人 KURISUTOFUAA EICHI GARUFUO;ASHIYOKU ERU NARAMUWAA;
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申请日1987-06-29
分类号C23F4/00;C23F11/00;H01L21/02;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/3213;
国家 JP
入库时间 2022-08-22 07:07:41

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