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机译:等离子体辉光放电中沉积电介质膜的方法。
公开/公告号NL8304493A
专利类型
公开/公告日1984-08-01
原文格式PDF
申请/专利权人 LFE CORPORATION TE CLINTON MASSACHUSETTS VER. ST. V. AM.;
申请/专利号NL19830004493
发明设计人
申请日1983-12-30
分类号H01L21/203;C01B33/12;H01L21/363;H05H1/30;
国家 NL
入库时间 2022-08-22 09:16:01
机译: 在等离子体辉光放电中沉积介电膜的方法
机译: 使用辉光放电沉积电介质膜的装置和方法
机译: 在等离子辉光放电中沉积介电层的方法