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METHOD FOR CUTTING CRYSTALLINE SILICON EDGE SCRAP MATERIAL

机译：切割晶体硅边缘废料的方法

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摘要

A method for cutting a crystalline silicon edge scrap material: cutting a monocrystalline silicon edge scrap material or a polycrystalline silicon edge scrap material into rectangular silicon blocks, and further cutting the rectangular silicon blocks into silicon chips.

机译：一种切割晶体硅边缘废料的方法：将单晶硅边缘废料或多晶硅边缘废料切割成矩形硅块，并进一步将矩形硅块切割成硅芯片。

著录项

公开/公告号WO2021082514A1

专利类型
公开/公告日2021-05-06

原文格式PDF
申请/专利权人 CHANGZHOU SHICHUANG ENERGY CO. LTD;
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申请/专利号WO2020CN100651
发明设计人 MENG XIANGXI;CAO YUHONG;FU LIMING;
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申请日2020-07-07
分类号B28D5;
国家 CN
入库时间 2022-08-24 18:37:15

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