首页> 外国专利> AN ASYMMETRICAL PN JUNCTION THERMOELECTRIC COUPLE STRUCTURE AND ITS PARAMETER DETERMINATION METHOD

AN ASYMMETRICAL PN JUNCTION THERMOELECTRIC COUPLE STRUCTURE AND ITS PARAMETER DETERMINATION METHOD

机译:不对称PN结热电耦合结构及其参数测定方法

摘要

The present invention discloses an asymmetrical PN junction thermoelectric couple structure and its parameter determination method. By changing the structural parameters of p-type semiconductor or n-type semiconductor, the current generated by p-type semiconductor is equal to the current generated by the n-type semiconductor, so that the high-efficiency output of PN junction thermoelectric couple can be realized. Meanwhile, the present invention provides a method for determining the parameters of PN junction based on the numerical solution method. Finally, the optimal size parameters of PN junction are obtained.
机译:本发明公开了一种非对称PN结热电耦合结构及其参数确定方法。通过改变p型半导体或n型半导体的结构参数,由p型半导体产生的电流等于由n型半导体产生的电流,使得PN结的高效率输出能够实现。同时,本发明提供了一种基于数值解决方法确定PN结的参数的方法。最后,获得了PN结的最佳尺寸参数。

著录项

  • 公开/公告号US2021217944A1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-07-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 JIANGSU UNIVERSITY;

    申请/专利号US201916959035

  • 申请日2019-03-19

  • 分类号H01L35/32;G01R21/06;H01L35/10;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 19:56:27

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号