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Managing data disturbance in a memory with asymmetric disturbance effects

机译:在具有不对称干扰效果的存储器中管理数据干扰

摘要

Exemplary methods, apparatuses, and systems include determining that data in a group of memory cells of a first memory device is to be moved to a spare group of memory cells. The group of memory cells spans a first dimension and a second dimension that is orthogonal to the first dimension and the spare group of memory cells also spans the first dimension and the second dimension. The data is read from the group of memory cells along the first dimension of the group of memory cells. The data is written to the spare group of memory cells along the second dimension of the spare group of memory cells.
机译:示例性方法,装置和系统包括确定第一存储器设备的一组存储器单元中的数据被移动到备用存储单元的数据。 存储器单元组跨越第一尺寸,第二尺寸与第一维度正交,备用存储器单元也跨越第一维度和第二维度。 沿着存储器组组的第一维度从存储单元组读取数据。 沿备用存储器单元的备用存储单元的第二维写入备用存储单元的备用存储器单元。

著录项

  • 公开/公告号US11087859B2

    专利类型

  • 公开/公告日2021-08-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC.;

    申请/专利号US202016853226

  • 发明设计人 SAMUEL E. BRADSHAW;JUSTIN ENO;

    申请日2020-04-20

  • 分类号G06F11;G11C29;G11C13;G06F11/16;G11C29/52;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 20:28:50

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