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MAGNONIC MAGNETO-RESISTANCE DEVICE INCLUDING TWO-DIMENSIONAL SPACER AND ELECTRONIC EQUIPMENT COMPRISING THE SAME

机译:延长磁阻装置,包括二维间隔和包括相同的电子设备

摘要

The present disclosure relates to a magnonic magnetoresistance (MMR) device and an electronic equipment including the same. According to one embodiment, a core structure of a MMR device may include: a first ferromagnetic insulating layer (Ferro-magnetic Insulator, FMI1); a two-dimensional conductive material layer (Spacer) set on the first ferromagnetic insulating layer; and a second ferromagnetic insulating layer (Ferro-magnetic Insulator, FMI2) set on the two-dimensional conductive material layer. The MMR device of the present disclosure may enhance interface effect in spin electron transmission and thus improve performance of the MMR device.
机译:本公开涉及一种延长磁阻(MMR)装置和包括该延长磁阻装置和电子设备。 根据一个实施例,MMR装置的核心结构可包括:第一铁磁绝缘层(铁磁绝缘体,FMI1); 在第一铁磁绝缘层上设定的二维导电材料层(间隔物); 和在二维导电材料层上设定的第二铁磁绝缘层(铁磁绝缘体,FMI2)。 本公开的MMR装置可以增强自旋电子传输中的界面效果,从而提高MMR装置的性能。

著录项

  • 公开/公告号US2021293908A1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-09-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利号US202117201016

  • 发明设计人 XIUFENG HAN;YAOWEN XING;

    申请日2021-03-15

  • 分类号G01R33/09;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/02;H01F10/32;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 21:12:42

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