首页> 外国专利> RC-IGBT, method for producing an RC-IGBT and method for controlling a half-bridge circuit

RC-IGBT, method for producing an RC-IGBT and method for controlling a half-bridge circuit

机译:RC-IGBT,生产RC-IGBT的方法和控制半桥电路的方法

摘要

An RC-IGBT (1) comprises an active region (1-2) with an IGBT section (1-21) and a diode section (1-22). There are several IGBT control electrodes (141) in multiple control trenches (14,15) of multiple IGBT control electrodes (1) and, electrically isolated from the IGBT control electrodes (141), several plasma control electrodes (151),wherein each of the IGBT control electrodes (141) and plasma control electrodes (151) is electrically isolated from the two load terminals as (11,12) of the plurality of IGBT control electrodes (1). The IGBT section (1-21) contains both a first subset of IGBT control electrodes (141) and a first subset of plasma control electrodes (151). The diode section (1-22) contains a second subset of plasma control electrodes (151).
机译:一种RC-IGBT(1)包括具有IGBT部分(1-21)和二极管部分(1-22)的有源区(1-2)。在多个IGBT控制电极(1)的多个控制沟槽(14,15)中有多个IGBT控制电极(141),并且在与IGBT控制电极(141)电隔离的情况下,有多个等离子体控制电极(151),其中,所述IGBT控制电极(141)和等离子体控制电极(151)中的每一个与所述多个IGBT控制电极(1)中的两个负载端子(11,12)电隔离。IGBT部分(1-21)包含IGBT控制电极(141)的第一子集和等离子体控制电极(151)的第一子集。二极管部分(1-22)包含等离子体控制电极(151)的第二子集。

著录项

  • 公开/公告号DE102020124901A1

    专利类型

  • 公开/公告日2022-03-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;

    申请/专利号DE202010124901

  • 发明设计人 ROMAN BABURSKE;

    申请日2020-09-24

  • 分类号H01L29/739;H01L21/331;H03K3/021;H03K17/18;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-25 00:04:46

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号