比较器
比较器的相关文献在1980年到2023年内共计2420篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、自动化技术、计算机技术、电工技术
等领域,其中期刊论文582篇、会议论文14篇、专利文献2877063篇;相关期刊305种,包括电子产品世界、电子器件、电子设计工程等;
相关会议14种,包括第四届复旦大学博士生学术论坛——信息科学与技术、第25届飞行器测控学术年会、2010中国西部地区声学学术交流会等;比较器的相关文献由3691位作者贡献,包括陈光炳、不公告发明人、吴建辉等。
比较器—发文量
专利文献>
论文:2877063篇
占比:99.98%
总计:2877659篇
比较器
-研究学者
- 陈光炳
- 不公告发明人
- 吴建辉
- 付东兵
- 朱樟明
- 徐代果
- 王健安
- 李红
- 李儒章
- 王育新
- 唐鹤
- 杨银堂
- 樊华
- 黄强
- 杨华中
- 王钊
- 张波
- 蒋和全
- 徐世六
- 海老原弘知
- 任俊彦
- 刘涛
- 宁宁
- 王勇
- 王志华
- 冯全源
- 李梁
- 克兵格·赛客帝·玻梅
- 刘飞
- 叶凡
- 唐华
- 李宁
- 杨海峰
- 榊原雅树
- 汪鹏君
- 王晓飞
- 荀本鹏
- 许俊
- 吴晓波
- 徐江涛
- 李强
- 谷银川
- 何生生
- 刘雄
- 周泽坤
- 孙德臣
- 岑远军
- 张春
- 杨瑞聪
- 王自强
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孙宇凯;
王尧;
王梅梅
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摘要:
随着通讯、视频、声纳等技术发展的越来越快,超高速模数转换器(ADC)的设计也日益重要。全并行结构(Full Flash)ADC作为首选结构,被应用于超高速中精度ADC。比较器作为Flash ADC中的重要组成部分,其速度、功耗和噪声决定了ADC的速度、精度和功耗。文中基于预放大再生锁存理论,基于65nm工艺,设计了一种工作在1GHz时钟周期下的超高速CMOS比较器电路,采用电荷存储失调校准技术使得失调电压15小于5.7mV,并采用可再生latch加速比较器输出电压翻转,可以在一个1GHz时钟周期内完成比较,分辨率在0.3mV左右。
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田芮谦;
宋树祥;
刘振宇;
岑明灿;
蒋品群;
蔡超波
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摘要:
逐次逼近型模数转换器(successive approximation register analog-to-digital converter,SAR ADC)已占据中等速度和精度ADC的主要市场,其采样频率可达5 MHz,分辨率通常为8~16位。在保持其低功耗的固有优势下,SAR ADC设计面临更高速和更高精度的挑战。本文概述近年来逐次逼近型模数转换器的研究现状和先进技术,对电容阵列开关切换技术、比较器和校准方法进行归纳与讨论;对比了结合不同开关策略的电容阵列DAC性能;提出了适用于不同场景的比较器结构;对高速度、高精度、低功耗的SAR ADC研究进行了展望。
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刘居敬;
王海时;
胡诗朋
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摘要:
模数转换电路的性能优化不断推进比较器电路的发展,适用于高速低功耗的比较器是集成电路设计的主要发展方向。给出一种动态比较器,使用动态预放大电路结构实现低功耗高速度比较器特性,前置放大器能够增强响应速度,同时还可以有效减小失调电压对性能造成的影响。仿真结果显示当时钟频率35M,1.5V电源电压仿真环境下比较器平均功耗82μm,精度小于1mV,失调电压小于0.5mV。
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刘居敬;
王海时;
胡诗朋
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摘要:
模数转换电路的性能优化不断推进比较器电路的发展,适用于高速低功耗的比较器是集成电路设计的主要发展方向.给出一种动态比较器,使用动态预放大电路结构实现低功耗高速度比较器特性,前置放大器能够增强响应速度,同时还可以有效减小失调电压对性能造成的影响.仿真结果显示当时钟频率35 M,1.5 V电源电压仿真环境下比较器平均功耗82 μW,精度小于1 mV,失调电压小于0.5 mV.
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贾永青;
陶志林;
龙川;
杨帆
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摘要:
针对CAN总线电气火灾监控探测器布局的不灵活,串口和普通二总线通信探测器的低可靠性,采用PIC16F1827单片机设计了一款基于改进型二总线的电气火灾监控探测器,满足了国家标准和型式试验的要求,极大地提高探测器的适用性和可靠性,为供配电安全提供有效保障.
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江家宝;
沈云付;
陈迅雷;
王哲河;
刘拥;
陈丽萍
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摘要:
除法运算是基本四则运算之一,如何进行快速除法一直是电子计算机、嵌入式系统和其他新型计算系统广受关注的问题.充分发挥三值光学处理器位数众多、运算功能可重构、按位可分配等优势,设计出高效并行MSD(modified signed digit)数除法器对提高大数据除法的运算效率、促进三值光学计算机(ternary optical computer,TOC)在数值计算领域的应用意义重大.本文首次提出MSD数的符号判定算法,并基于SRT算法首次提出利用一个并行无进位SJ-MSD加法器和一个MSD数比较器实现单组MSD整数除法或多组MSD整数并行除法方案——并行MSD整数除法,该算法对于被除数等长的多组与单组MSD整数除法需要的机器周期是相同的.实验表明,并行MSD整数除法方案是可行的,它将有效地提高大数据处理效率并加速TOC进入数值计算等实际应用领域.
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周林;
郭兵
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摘要:
量子比较器是量子算法设计中的重要组成部分,其对于量子算法的物理实现具有重要意义.针对比较器的量子代价与垃圾输出优化问题,分成三个阶段提出了改进TR门级联的量子比较器设计方案:第一个阶段使用布尔逻辑推导了方案的实现,并对其进行简化;第二个阶段设计了1位的量子比较器;第三个阶段将比较器进行级联,并实现n位的一般性比较器.通过迭代式的推导证明了其正确性,对比其他文献,该设计减少了近12.6%的量子代价,同时节约了47.6%的垃圾输出.通过实验仿真,证明其可以正常运行.与其他类型比较器相比,该设计所需的量子代价与垃圾输出有明显的减少,且构造简单易于实现.
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姚诗磊;
李龙辉;
孙嘉骞;
易黄建
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摘要:
为了获得一种输出信号连续且精度高的主动式电容笔,基于STM32设计系统模块和电路模块,系统模块由STM32芯片、蓝牙模块和笔尖传感器模块组成,电路模块包括信号发生、放大和运算、模数转换、选频网络和保护模块.利用文氏桥正弦波发生电路来获得所需的信号,对产生的正弦信号进行模数转换和选频.利用蓝牙模块和STM32F4芯片连接电路部分控制输出信号,笔尖传感器收集压力信息反馈芯片,从而改变输出信号的幅值来改变输出波形.利用Multisim软件对产生的信号进行分析验证,实验结果显示,输出信号精度不低于95%.
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陈恒江;
潘福跃;
周德金;
何宁业;
陈珍海
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摘要:
设计了一种用于GaN HEMT器件栅驱动芯片、能提供快速响应高精度阈值电压的高精度欠压保护电路.该电路一方面采用宽电压摆幅和快速响应的两级比较器电路来提高处理速度;另一方面,输出整形电路采用RC低通滤波和两级施密特触发器组合滤波,以滤除高频噪声的影响,产生稳定可靠的欠压保护输出信号.基于0.18 μm BCD工艺,完成了电路设计验证,仿真结果显示电路功能正确,可满足GaN HEMT器件栅驱动芯片应用要求.
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摘要:
随着全球物联网的发展,以及汽车"四化"(电动化、智能化、网联化、共享化)的快速推进,传感器的应用范围越来越广泛,作为检测并放大传感器信号的运算放大器和比较器的作用也将变得越来越重要。近日,ROHM举办了在线发布会,推出一款抗EMI性能非常出色的运算放大器"BD8758xYx-C"系列,新产品具备"EMARMOUR系列"中超高的抗干扰性能,有助于减少异常检测系统的设计工时并提高系统可靠性。
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LIN Tao;
林涛;
GU Wei-ru;
顾蔚如;
WANG Ming-shuo;
王明硕;
YE Fan;
叶凡;
XU Jun;
许俊;
REN Jun-yan;
任俊彦
- 《第四届复旦大学博士生学术论坛——信息科学与技术》
| 2012年
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摘要:
本文设计了一款低功耗12-bit 50-MS/s逐次逼近型模数转换器,提出了一种动态比较器失调电压校正技术,取代了采用预放大器降低比较器失调电压的传统方法,解决了比较器低功耗和高精度之间的矛盾;基于时分复用的方法,改进了转换器核心数字逻辑,只需传统结构1/2的硬件电路便能实现相同的功能.此外,本文针对桥接电容和寄生电容引入的非线性问题做了详细的分析和公式推导.本设计采用SMIC 65 nm标准CMOS工艺,核心芯片供电电压为1.2V,采样速率为50 MS/s,版图后仿真结果表明,该ADC可达到71.5 dB的信噪比和84.5 dB的无杂散动态范围,功耗为4 mW,芯片核心面积为0.3×0.2 mm2.
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武海军;
刘诺;
曹先国;
吴传奎
- 《2007年北京地区高校研究生学术交流会》
| 2008年
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摘要:
本文介绍了一种高速高精差分电压比较器电路,该电路采用了前置放大级和动态比较级两级相结合的结构,由前置放大器进行预放大,在时钟作用下通过动态比较级再放大和输出。该电路采用0.18μm工艺实现,对其进行了原理分析和仿真。结果表明该比较器在2mW的功耗下可以达到500MHz的工作速度,适用于高速模数转换器中。
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陈红卫;
吴建辉
- 《中国电子学会第十届青年学术年会》
| 2004年
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摘要:
本文设计了一种新型快速时间连续电压比较器.利用倒向器代替放大器来放大比较信号,大大节约了版图面积,节省了功耗,同时可以达到很高的速度.使用chart 0.35μM工艺,进行HSPICE仿真表明,在比较电压为10mV时,比较时间仅为3.5nS.
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张红莉;
高明伦;
徐诺
- 《2004中国通信集成电路技术与应用研讨会》
| 2004年
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摘要:
随着芯片的集成度越来越高,在以SoC为发展趋势的集成电路设计中,如何实现上电复位电路的片内集成将成为保证系统芯片正常复位的关键问题.文章首先介绍了一种普遍使用的简单上电复位电路,在分析了其性能优点和缺点的基础上提出了一种新的基于比较器结构的上电复位电路.在分别对两个电路的功能和性能做出仿真后,给出了真实可靠的数据,事实证明新型上电复位电路在性能及可靠性方面远远优于简单上电复位电路.两种电路均采用SMIC0.35umCMOS工艺进行设计和仿真,其中新型上电复位电路已经嵌入在一款通用的8位微控制器芯片中,并且流片成功.
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