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SiC合成中气相各成分的分离及分析

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目的：建立SiC合成中气相各成分的分析方法。rn 方法：通过3种预分离方法成功地分析测试了合成SiC过程中所产生的3类气体——氯硅烷、烃和HCl;用GC-MS法测定了氯硅烷的含量，用GC法测定了烃的含量，用重水同位素标记GC-MS法测定了氯化氢的含量。rn 结果：该方法的精密度RS≤5％。加标回收率为88.5％-115％。rn 结论：所建立方法可应用于SiC合成中气相组分的分析。

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来源
《第三届中国中西部地区色谱学术交流会》|2010年|125-126|共2页
会议地点西安
作者
冯小佼; 陈海旭; 王培; 郭治安;
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作者单位

中国化学会;

陕西省化学学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TQ163.4;
关键词
碳化硅; 气相组分分离; 氯硅烷; 含量测定; 加标回收率;

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