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基于BCD工艺下LDPMOS的设计与优化

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随着应用领域的不断扩大，BCD工艺所受的关注度日益增加。相对于低压CMOS部分，高压DMOS的研发与设计更具有挑战性。而HV-MOSFET的源漏击穿电压和导通电阻则是器件设计者首要考虑的关键因素。本文基于标准BCD工艺，运用SILVACO公司的工艺与器件模拟软件，并结合实际流片测试结果，完成对现有工艺中高压LDPMOS的优化。首先是版图横向尺寸的优化，确定出器件design rule,优化后的尺寸能使器件在实际应用中，拥有击穿电压和导通电阻的折中最优值。其次是结构上的优化，通过源端加入PLINK层来抑制HCI效应发生。实际流片测试结果表明，器件各项指标均达到预期目标，很好的达到了设计与优化目的。

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来源
《第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议》|2009年|1-4|共4页
会议地点杭州
作者
徐帆; 傅春晓;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类场效应型;设计;
关键词
源漏击穿电压; 导通电阻; 流片测试; 优化设计; 二进制编码; 横向扩散P型金属氧化物半导体;

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