掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献代查
外文数据库(机构版)
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
外文会议
>
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices
召开年:
召开地:
出版时间:
-
会议文集:
-
会议论文
热门论文
全部论文
全选(
0
)
清除
导出
1.
1-1 Forefront of Silicon Quantum Computing
机译:
1-1最前沿的硅量子计算
作者:
Kohei M. Itoh
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
quantum computing;
silicon;
2.
First-principles study of dopant trap level and concentration in Si(110)/a-SiO2 interface
机译:
Si(110)/ a-SiO2界面中杂质陷阱能级和浓度的第一性原理研究
作者:
Gijae Kang
;
Joohyun Jeon
;
Junsoo Kim
;
Hyoshin Ahn
;
Inkook Jang
;
Daesin Kim
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Interface;
semiconductor;
trap level;
doping concentration;
3.
5 Model analysis for effects of spatial and energy profiles of plasma process-induced defects in Si substrate on MOS device performance
机译:
5 Si衬底中等离子体工艺引起的缺陷的空间和能量分布对MOS器件性能的影响的模型分析
作者:
Takashi Hamano
;
Keiichiro Urabe
;
Koji Eriguchi
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
plasma process;
plasma process-induced defect;
defectprofile;
density-of-state;
Si;
MOSFET;
4.
Numerical Solution of the Constrained Wigner Equation
机译:
约束维格纳方程的数值解
作者:
Robert Kosik
;
Johann Cervenka
;
Hans Kosina
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Wigner function;
sigma function;
constrained equation;
quantum transport;
device simulation;
resonant tunneling diode;
Galerkin method;
5.
Monte Carlo Simulation of a Three-Terminal RRAM with Applications to Neuromorphic Computing
机译:
三端子RRAM的蒙特卡罗模拟及其在神经形态计算中的应用
作者:
Akhilesh Balasingam
;
Akash Levy
;
Haitong Li
;
Priyanka Raina
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
RRAM;
Three-Terminal;
Non-Volatile Memory;
Monte Carlo Simulator;
Neuromorphic;
6.
A Modeling Study on Performance of a CNOT Gate Devices based on Electrode-driven Si DQD Structures
机译:
基于电极驱动Si DQD结构的CNOT栅极器件性能建模研究
作者:
Hoon Ryu
;
Ji-Hoon Kang
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
7.
Simulation and Evaluation of Plasmonic Circuits
机译:
等离子电路的仿真与评估
作者:
Mitsuo Fukuda
;
Yasuhiko Ishikawa
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
plasmonic waveguide;
plasmonic mode convertor;
plasmonic multiplexer;
plasmonic integrated circuit;
silicon integrated circuit;
8.
Impact of Schottky Barrier on the Performance of Two-Dimensional Material Transistors
机译:
肖特基势垒对二维材料晶体管性能的影响
作者:
Sheng-Kai Su
;
Jin Cai
;
Edward Chen
;
Lain-Jong Li
;
H.-S. Philip Wong
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
2D van der Waals materials;
WS2;
Schottky contact;
sub-threshold swig;
future CMOS technology;
9.
Performance and Leakage Analysis of Si and Ge NWFETs Using a Combined Subband BTE and WKB Approach
机译:
结合子带BTE和WKB方法对Si和Ge NWFET的性能和泄漏分析
作者:
Z. Stanojević
;
G. Strof
;
O. Baumgartner
;
G. Rzepa
;
M. Karner
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
10.
Molecular Dynamics Modeling of the Radial Heat Transfer from Silicon Nanowires
机译:
硅纳米线径向传热的分子动力学建模
作者:
Igor Bejenari
;
Alexander Burenkov
;
Peter Pichler
;
Ioannis Deretzis
;
Antonino La Magna
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
heat transport;
thermal conductivity;
nanowire;
Molecular Dynamics (MD);
11.
Advanced simulations on laser annealing: explosive crystallization and phonon transport corrections
机译:
激光退火的高级模拟:爆炸性结晶和声子传输校正
作者:
Alberto Sciuto
;
Ioannis Deretzis
;
Giuseppe Fisicaro
;
Salvatore F. Lombardo
;
Antonino La Magna
;
Maria Grazia Grimaldi
;
Karim Huet
;
Bobby Lespinasse
;
Armand Verstraete
;
Benoit Curvers
;
Igor Bejenari
;
Alexander Burenkov
;
Peter Pichler
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
12.
4-4 Effect of Unit-cell Arrangement on Performance of Multi-stage-planar Cavity-free Unileg Thermoelectric Generator Using Silicon Nanowires
机译:
4-4单元排列对使用硅纳米线的多级平面无腔Unileg热电发电机性能的影响
作者:
Katsuki Abe
;
Kaito Oda
;
Motohiro Tomita
;
Takeo Matsuki
;
Takashi Matsukawa
;
Takanobu Watanabe
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Thermoelectric generator;
Si;
Nanowire;
Semiconductor;
13.
Characteristics of Gate-All-Around Silicon Nanowire and Nanosheet MOSFETs with Various Spacers
机译:
具有各种垫片的全能栅极硅纳米线和纳米片MOSFET的特性
作者:
Sekhar Reddy Kola
;
Yiming Li-
;
Narasimhulu Thoti
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
DC characteristics;
SCT;
RTN;
Gate-all-around;
Nanowire;
Nonosheet;
MOSFETs.;
14.
Undoped SiGe material calibration for numerical nanosecond laser annealing simulations
机译:
用于数值纳秒激光退火模拟的未掺杂SiGe材料校准
作者:
A-S. Royet
;
L. Dagault
;
S. Kerdilès
;
P. Acosta Alba
;
J.P Barnes
;
F. Cristiano
;
K. Huet
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Laser annealing;
melt depth;
SiGe alloy characterization;
15.
Ab-initio quantum transport with a basis of unit-cell restricted Bloch functions and the NEGF formalism
机译:
从零开始的量子输运,其基础是受限于单元细胞的Bloch函数和NEGF形式主义
作者:
Marco Pala
;
David Esseni
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Density functional theory;
quantum transport;
NEGF;
2D materials;
16.
Future of Power Electronics from TCAD Perspective
机译:
从TCAD角度看电力电子的未来
作者:
Terry Ma
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
17.
Computics Approach toward Clarification of Atomic Reactions during Epitaxial Growth of GaN
机译:
GaN外延生长过程中澄清原子反应的计算机方法
作者:
Atsushi Oshiyama
;
Kieu My Bui
;
Mauro Boero
;
Yoshihiro Kangawa
;
Kenji Shiraishi
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
density functional theory;
Car-Parrinello molecular dynamics;
GaN;
epitaxial growth;
18.
Estimation of Phonon Mean Free Path in Small-Scaled Si Wire by Monte Carlo Simulation
机译:
蒙特卡洛法估算小尺寸硅线中声子平均自由程
作者:
Yuhei Suzuki
;
Yuma Fujita
;
Khotimatul Fauziah
;
Takuto Nogita
;
Hiroya Ikeda
;
Takanobu Watanabe
;
Yoshinari Kamakura
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Si;
phonon;
Monte Carlo simulation;
19.
Energy Band Calculation of Si/Si0.7 Ge0.3 Nanopillars in k➙ Space
机译:
k➙空间中Si / Si0.7 Ge0.3纳米柱的能带计算
作者:
Min-Hui Chuang
;
Yiming Li
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
energy band;
density of state;
electrons;
light holes;
Si/Si0.7Ge0.3 nanopillar;
Schrodinger equation k➙ space;
20.
Full Band Monte Carlo simulation of phonon transfer at interfaces
机译:
界面声子转移的全频带蒙特卡罗模拟
作者:
N.D. Le
;
B. Davier
;
P. Dollfus
;
M. Pala
;
A. Bournel
;
J. Saint-Martin
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
21.
First Principle Simulations of Electronic and Optical Properties of a Hydrogen Terminated Diamond Doped by a Molybdenum Oxide Molecule
机译:
氧化钼分子掺杂的氢封端金刚石的电子和光学性质的第一原理模拟
作者:
Joseph McGhee
;
Vihar P. Georgiev
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
22.
High-sigma analysis of DRAM write and retention performance: a TCAD-to-SPICE approach
机译:
DRAM写入和保留性能的高西格玛分析:TCAD-to-SPICE方法
作者:
Salvatore Maria Amoroso
;
Jaehyun Lee
;
Andrew R. Brown
;
Plamen Asenov
;
Xi-Wei Lin
;
Victor Moroz
;
Thomas Yang
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
DRAM;
leakage;
retention time;
DTCO;
TCAD;
23.
Generative Model Based Adaptive Importance Sampling for Flux Calculations in Process TCAD
机译:
基于生成模型的自适应重要采样,用于过程TCAD中的通量计算
作者:
Alexander Scharinger
;
Paul Manstetten
;
Andreas Hössinger
;
Josef Weinbub
会议名称:
《》
|
2020年
24.
Implant heating contribution to amorphous layer formation: a KMC approach
机译:
植入物加热对非晶层形成的贡献:KMC方法
作者:
P.L. Julliard
;
P. Dumas
;
F. Monsieur
;
F. Hilario
;
D. Rideau
;
A. Hemeryck
;
F. Cristiano
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
amorphization;
Kinetic Monte Carlo;
implantation induced heating;
machine parameters;
25.
Automatic Modeling of Logic Device Performance Based on Machine Learning and Explainable AI
机译:
基于机器学习和可解释AI的逻辑设备性能自动建模
作者:
Seungju Kim
;
Kwangseok Lee
;
Hyeon-Kyun Noh
;
Youngkyu Shin
;
Kyu-Baik Chang
;
Jaehoon Jeong
;
Sangwon Baek
;
Myunggil Kang
;
Keunhwi Cho
;
Dong-Won Kim
;
Daesin Kim
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Logic device;
electrical test;
machine learning;
explainable AI;
SHAP (Shapley Additive explanation);
26.
Gummel-cycle Algebraic Multigrid Preconditioning for Large-scale Device Simulations
机译:
用于大型设备仿真的Gummel循环代数多重网格预处理
作者:
Hiroo Koshimoto
;
Hisashi Ishimabushi
;
Jaehyun Yoo
;
Yasuyuki Kayama
;
Satoru Yamada
;
Uihui Kwon
;
Dae Sin Kim
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
power device;
device simulation;
drift-diffusion;
multigrid;
large-scale;
27.
A continuous cellular automaton method with flux interpolation for two-dimensional electron gas electron transport analysis
机译:
具有通量插值的连续元胞自动机方法用于二维电子气电子输运分析
作者:
Koichi Fukuda
;
Junichi Hattori
;
Hidehiro Asai
;
Junya Yaita
;
Junji Kotani
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
GaN;
HEMT;
Poisson-Schrodinger;
Cellular Automaton;
device simulation;
two-dimensional electron gas;
28.
Geometric Advection Algorithm for Process Emulation
机译:
用于过程仿真的几何对流算法
作者:
Xaver Klemenschits
;
Siegfried Selberherr
;
Lado Filipovic
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
29.
TCAD simulation for transition metal dichalcogenide channel Tunnel FETs consistent with ab-initio based NEGF calculation
机译:
与基于ab-initio的NEGF计算一致的过渡金属二硫化氢通道隧道FET的TCAD模拟
作者:
Hidehiro Asai
;
Tatsuya Kuroda
;
Koich Fukuda
;
Junichi Hattori
;
Tsutomu Ikegami
;
Nobuya Mori
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
TMDC channel TFET;
TCAD simulation;
NEGF simulation;
30.
Ab-initio Study of Magnetically Intercalated Tungsten Diselenide
机译:
磁性嵌入二硒化钨的从头算研究
作者:
Peter D. Reyntjens
;
Sabyasachi Tiwari
;
Maarten L. Van de Put
;
Bart Sorée
;
William G. Vandenberghe
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
31.
A Study of Wiggling AA modeling and Its Impact on the Device Performance in Advanced DRAM
机译:
摆动AA模型及其对高级DRAM器件性能的影响研究
作者:
QingPeng Wang
;
Yu De Chen
;
Jacky Huang
;
Ervin Joseph
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
DRAM;
active area;
sidewall passivation;
micro-loading;
modeling;
virtual fabrication;
device performance;
32.
Reactive Force-Field Molecular Dynamics Study of the Silicon-Germanium Deposition Processes by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
机译:
等离子增强化学气相沉积硅锗沉积过程的反应力场分子动力学研究
作者:
Naoya Uene
;
Takuya Mabuchi
;
Masaru Zaitsu
;
Shigeo Yasuhara
;
Takashi Tokumasu
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Chemical Vapor Deposition;
Reactive Force- Field Molecular Dynamics Simulation;
Silicon-Germanium;
Thin Film Deposition;
33.
Universal Feature of Trap-Density Increase in Aged MOSFET and Its Compact Modeling
机译:
老化MOSFET陷阱密度增加的普遍特征及其紧凑模型
作者:
Fernando Avila Herrera
;
Mitiko Miura-Mattausch
;
Takahiro Iizuka
;
Hideyuki Kikuchihara
;
Hans Jürgen Mattausch
;
Hirotaka Takatsuka
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
MOSFET aging/reliability;
Trap-density increase;
channel-length dependence;
compact model;
aging simulation;
34.
TCAD Incorporation of Physical Framework to Model N and P BTI in MOSFETs
机译:
TCAD结合了物理框架对MOSFET中的N和P BTI模型
作者:
Ravi Tiwari
;
Nilotpal Choudhury
;
Tarun Samadder
;
Subhadeep Mukhopadhyay
;
Narendra Parihar
;
Souvik Mahapatra
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
threshold voltage shift;
DCIV;
NBTI;
PBTI;
EOT scaling;
HKMG-MOSFETs;
Nitrogen impact;
35.
6-3 Benchmarking Charge Trapping Models with NBTI, TDDS and RTN Experiments
机译:
NBTI,TDDS和RTN实验的6-3基准化电荷陷阱模型
作者:
Sharang Bhagdikar
;
Souvik Mahapatra
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
NBTI;
RTN;
TDDS;
36.
A TCAD Framework for Assessing NBTI Impact Under Drain Bias and Self-Heating Effects in Replacement Metal Gate (RMG) p-FinFETs
机译:
TCAD框架,用于评估替代金属栅(RMG)p-FinFET中漏极偏置下的NBTI影响和自热效应
作者:
Uma Sharma
;
Souvik Mahapatra
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
FinFET;
HKMG;
BTI;
SH;
Fin length variation;
37.
Modeling and Simulation of Si IGBTs
机译:
Si IGBT的建模与仿真
作者:
N. Shigyo
;
M. Watanabe
;
K. Kakushima
;
T. Hoshii
;
K. Furukawa
;
A. Nakajima
;
K. Satoh
;
T. Matsudai
;
T. Saraya
;
T. Takakura
;
K. Itou
;
M. Fukui
;
S. Suzuki
;
K. Takeuchi
;
I. Muneta
;
H. Wakabayashi
;
S. Nishizawa
;
K. Tsutsui
;
T. Hiramoto
;
H. Ohashi
;
H. Iwai
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
IGBT;
trench-gate;
TCAD simulation;
carrier-carrier scattering;
three-dimension current flow;
injection enhancement effect;
38.
Full-Band Monte Carlo simulations of GaAs p-i-n Avalanche PhotoDiodes: What Are the Limits of Nonlocal Impact Ionization Models?
机译:
GaAs p-i-n雪崩光电二极管的全频带蒙特卡罗模拟:非局部影响电离模型的局限性是什么?
作者:
A. Pilotto
;
F. Driussi
;
D. Esseni
;
L. Selmi
;
M. Antonelli
;
F. Arfelli
;
G. Biasiol
;
S. Carrato
;
G. Cautero
;
D. De Angelis
;
R.H. Menk
;
C. Nichetti
;
T. Steinhartova
;
P. Palestri
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Avalanche Photodiodes;
Full-Band Monte Carlo;
Impact Ionization;
39.
A technique for phase-detection auto focus under near-infrared-ray incidence in a back-side illuminated CMOS image sensor pixel with selectively grown germanium on silicon
机译:
在硅上选择性生长锗的背面照明的CMOS图像传感器像素中,在近红外线入射下进行相位检测自动聚焦的技术
作者:
Tatsuya Kunikiyo
;
Hidenori Sato
;
Takeshi Kamino
;
Koji Iizuka
;
Ken’ichiro Sonoda
;
Tomohiro Yamashita
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
40.
Investigation of the relationship between current filament movement and local heat generation in IGBTs by using modified avalanche model of TCAD
机译:
利用改进的TCAD雪崩模型研究IGBT中电流丝运动与局部发热之间的关系
作者:
Takeshi Suwa
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
IGBT;
current filament;
self-heating;
avalanche model;
Impact Ionization model;
41.
Verilog-A model for avalanche dynamics and quenching in Single-Photon Avalanche Diodes
机译:
Verilog-A模型用于单光子雪崩二极管中的雪崩动力学和猝灭
作者:
Y. oussaiti
;
D. Rideau
;
J.R. Manouvrier
;
V. Quenette
;
B. Mamdy
;
C. Buj
;
J. Grebot
;
H. Wehbe-Alause
;
A. Lopez
;
G. Mugny
;
M. Agnew
;
E. Lacombe
;
M. Pala
;
P. Dollfus
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Silicon SPAD;
avalanche dynamics;
quenching circuits;
Verilog-A code;
TCAD;
42.
Novel Full-Band Monte Carlo Device Simulator with Real-Space Treatment of the Short-Range Coulomb Interactions for Modeling 4H-SiC Power Devices
机译:
新型全频带蒙特卡罗器件仿真器,对短程库仑相互作用进行实空间处理,用于建模4H-SiC功率器件
作者:
Chi-Yin Cheng
;
Dragica Vasileska
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
4H-SiC;
full-band device simulator;
vertical double-diffused MOSFET (VDMOS);
Monte Carlo Method;
real-space treatment of Coulomb interactions;
43.
Tight-binding simulation of optical gain in h-BCN for laser application
机译:
激光应用中h-BCN中光增益的紧束缚模拟
作者:
Daisuke Maki
;
Matsuto Ogawa
;
Satofumi Souma
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
44.
Predictive Compact Modeling of Abnormal LDMOS Characteristics Due to Overlap-Length Modification
机译:
重叠长度修改导致的LDMOS特性异常的预测紧凑模型
作者:
Takahiro Iizuka
;
Dondee Navarro
;
Mitiko Miura-Mattausch
;
Hidenori Kikuchihara
;
Hans Jürgen Mattausch
;
Daniel Nestor Rus
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
power MOSFETs;
LDMOS;
compact model;
overlap length;
conductivity modulation;
45.
8-1 A TCAD Study on Mechanism and Countermeasure for Program Characteristics Degradation of 3D Semicircular Charge Trap Flash Memory
机译:
8-1 TCAD研究3D半圆电荷陷阱闪存程序特性退化的机理与对策。
作者:
N. Kariya
;
M. Tsuda
;
T. Kurusu
;
M. Kondo
;
K. Nishitani
;
H. Tokuhira
;
J. Shimokawa
;
Y. Yokota
;
H. Tanimoto
;
S. Onoue
;
Y. Shimada
;
T. Kato
;
K. Hosotani
;
F. Arai
;
M. Fujiwara
;
Y. Uchiyama
;
K. Ohuchi
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
46.
Impact of Random Phase Distribution in 3D Vertical NAND Architecture of Ferroelectric Transistors on In-Memory Computing
机译:
铁电晶体管3D垂直NAND架构中随机相位分布对内存计算的影响
作者:
Gihun Choe
;
Wonbo Shim
;
Jae Hur
;
Asif Islam Khan
;
Shimeng Yu
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Ferroelectric;
mixed phases;
variations;
nonvolatile memory;
in-memory computing;
47.
TCAD Modeling and Optimization of 28nm HKMG ESF3 Flash Memory
机译:
28nm HKMG ESF3闪存的TCAD建模和优化
作者:
Alban Zaka
;
Tom Herrmann
;
Ralf Richter
;
Stefan Duenkel
;
Ruchil Jain
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
ESF3;
TCAD;
Hot Carrier Modeling;
48.
Coupling the Multi Phase-Field Method with an Electro-Thermal Solver to Simulate Phase Change Mechanisms in Ge-rich GST based PCM
机译:
多相场方法与电热解算器耦合,以模拟基于富Ge的GST PCM中的相变机制
作者:
Raphaël Bayle
;
Olga Cueto
;
Serge Blonkowski
;
Thomas Philippe
;
Hervé Henry
;
Mathis Plapp
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Phase Change Memories;
simulation;
crystallization with segregation;
multi phase-field method;
49.
Efficient partitioning of surface Green’s function: toward ab initio contact resistance study.
机译:
有效划分表面Green的功能:从头开始进行接触电阻研究。
作者:
Guido Gandus
;
Youseung Lee
;
Daniele Passerone
;
Mathieu Luisier
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
50.
Quantum Transport in Si:P δ-Layer Wires
机译:
Si:Pδ层线中的量子传输
作者:
Juan P. Mendez
;
Denis Mamaluy
;
Xujiao Gao
;
Evan M. Anderson
;
DeAnna M. Campbell
;
Jeffrey A. Ivie
;
Tzu-Ming Lu
;
Scott W. Schmucker
;
Shashank Misra
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
quantum transport;
Si:P δ-layer systems;
contact block reduction;
NEGF;
elastic scattering;
quantum transport;
Si:P δ-layer systems;
contact block reduction;
NEGF;
elastic scattering;
51.
Analytical Formulae for the Surface Green’s Functions of Graphene and 1T’ MoS2 Nanoribbons
机译:
石墨烯和1T'MoS2纳米带的表面格林函数的解析公式
作者:
Hans Kosina
;
Heribert Seiler
;
Viktor Sverdlov
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
surface Green’s functions;
ballistic transport;
nanoribbon;
NEGF method;
k*p method;
surface Green;
functions, ballistic transport, nanoribbon, NEGF method, kp method;
52.
Calibrated Si Mobility and Incomplete Ionization Models with Field Dependent Ionization Energy for Cryogenic Simulations
机译:
校准的硅迁移率和具有取决于场的电离能的不完全电离模型,用于低温模拟
作者:
Hiu Yung Wong
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Cryogenic;
Field Dependent Ionization;
Incomplete Ionization;
TCAD;
53.
Fully Analog ReRAM Neuromorphic Circuit Optimization using DTCO Simulation Framework
机译:
使用DTCO仿真框架的全模拟ReRAM神经形态电路优化
作者:
Anh Nguyen
;
Hoi Nguyen
;
Sruthi Venimadhavan
;
Ayyaswamy Venkattraman
;
David Parent
;
Hiu Yung Wong
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
ReLU;
ReRAM;
DTCO;
Neuromorphic;
Machine Learning;
Circuit Simulation;
Verilog-A;
54.
Effect of Shape Deformation by Edge Roughness in Spin-Orbit Torque Magnetoresistive Random-Access Memory
机译:
自旋轨道转矩磁阻随机存取存储器中边缘粗糙度对形状变形的影响
作者:
Jihun Byun
;
Doo Hyung Kang
;
Mincheol Shin
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Magnetic Random Access Memory;
Spin Orbit Torque;
Spin Transfer Torque;
Damping constant;
Micromagnetic simulation;
55.
Computation of Torques in Magnetic Tunnel Junctions through Spin and Charge Transport Modeling
机译:
通过自旋和电荷输运模型计算磁性隧道结中的扭矩
作者:
Simone Fiorentini
;
Johannes Ender
;
Mohamed Mohamedou
;
Roberto Orio
;
Siegfried Selberherr
;
Wolfgang Goes
;
Viktor Sverdlov
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Spin and charge drift-diffusion;
spin-transfer torque;
magnetic tunnel junctions;
STT-MRAM;
56.
Efficient Demagnetizing Field Calculation for Disconnected Complex Geometries in STT-MRAM Cells
机译:
STT-MRAM单元中复杂几何形状的有效退磁场计算
作者:
Johannes Ender
;
Mohamed Mohamedou
;
Simone Fiorentini
;
Roberto Orio
;
Siegfried Selberherr
;
Wolfgang Goes
;
Viktor Sverdlov
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Micromagnetics;
LLG;
spin-transfer torque;
MRAM;
demagnetizing field;
57.
Properties of Conductive Oxygen Vacancies and Compact Modeling of IV Characteristics in HfO2 Resistive Random-Access-Memories
机译:
HfO2电阻随机存取存储器中导电氧空位的性质和IV特性的紧凑模型
作者:
Junsung Park
;
Min-Jae Kim
;
Jae-Hyung Jang
;
Sung-Min Hong
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
58.
MOS-like approach for compact modeling of High-Electron-Mobility Transistor
机译:
类似于MOS的高电子迁移率晶体管紧凑模型建模方法
作者:
Adrien Vaysset
;
Sébastien Martinie
;
François Triozon
;
Olivier Rozeau
;
Marie-Anne Jaud
;
René Escoffier
;
Thierry Poiroux
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Power device;
GaN;
HEMT;
compact model;
SPICE;
59.
Compact modeling of gate leakage phenomenon in GaN HEMTs
机译:
GaN HEMT中栅极泄漏现象的紧凑模型
作者:
Kexin Li
;
Eiji Yagyu
;
Hisashi Saito
;
Koon Hoo Teo
;
Shaloo Rakheja
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Compact model;
GaN HEMTs;
Gate leakage;
High temperature operation;
60.
Effect of Atomic Interface on Tunnel Barrier in Ferroelectric HfO2 Tunnel Junctions
机译:
原子界面对铁电HfO2隧道结中隧道势垒的影响
作者:
Junbeom Seo
;
Mincheol Shin
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Ferroelectric tunnel junction;
Schottky barrier;
Ferroelectric HfO2;
61.
Surge Current Capability in lateral AlGaN/GaN Hybrid Anode Diodes with p-GaN/Schottky Anode
机译:
具有p-GaN /肖特基阳极的横向AlGaN / GaN混合阳极二极管的浪涌电流能力
作者:
Gökhan Atmaca
;
Marie-Anne Jaud
;
Julien Buckley Jérôme
;
Arnaud Yvon
;
Emmanuel Collard
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
hybrid anode diodes;
hole injection;
surge current;
tcad;
62.
Dynamic Simulation of Write ‘1’ Operation in the Bi-stable 1-Transistor SRAM Cell
机译:
双稳态1晶体管SRAM单元中写入“ 1”操作的动态仿真
作者:
Tapas Dutta
;
Fikru Adamu-Lema
;
Asen Asenov
;
Yuniarto Widjaja
;
Valerii Nebesnyi
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
1T-SRAM;
Bi-stability;
Dynamic Simulation;
TCAD;
Impact-ionization;
63.
Simulation of gated GaAs-AlGaAs resonant tunneling diodes for tunable terahertz communication applications
机译:
用于可调谐太赫兹通信应用的门控GaAs-AlGaAs谐振隧穿二极管的仿真
作者:
V. P. Georgiev
;
A. Sengupta
;
P. Maciazek
;
O. Badami
;
C. Medina-Bailon
;
T. Dutta
;
F. Adamu-Lema
;
A. Asenov
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
nanowire;
resonant tunneling diodes;
quantum device simulator;
physically terahertz applications;
64.
Theoretical Study of Double-Heterojunction AlGaN/GaN/InGaN/δ-doped HEMTs for Improved Transconductance Linearity
机译:
双异质结AlGaN / GaN / InGaN /δ掺杂的HEMT改善跨导线性的理论研究
作者:
Tsung-Hsing Yu
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
65.
Nanoscale FET: How To Make Atomistic Simulation Versatile, Predictive, and Fast at 5nm Node and Below
机译:
纳米级FET:如何在5nm节点及以下实现多功能,可预测和快速的原子模拟
作者:
Philippe Blaise
;
Udita Kapoor
;
Mark Townsend
;
Eric Guichard
;
James Charles
;
Daniel Lemus
;
Tillmann Kubis
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Atomistic;
Simulation;
CMOS;
FET;
NEGF;
Scattering;
Tight-Binding;
66.
TCAD-Assisted MultiPhysics Modeling Simulation for Accelerating Silicon Quantum Dot Qubit Design
机译:
TCAD辅助的多物理场建模与仿真,用于加速硅量子点量子位设计
作者:
F. A. Mohiyaddin
;
G. Simion
;
N. I. Dumoulin Stuyck
;
R. Li
;
A. Elsayed
;
M. Shehata
;
S. Kubicek
;
C. Godfrin
;
B. T. Chan
;
J. Jussot
;
F. C ubotaru
;
S. Brebels
;
F. M. Bufler
;
G. Eneman
;
P. Weckx
;
P. Matagne
;
A. Spessot
;
B. Govoreanu
;
I. P. Radu
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Silicon Quantum Computation;
Device Design;
Qubit Readout;
Control Interaction;
Multiphysics Modeling;
Silicon Quantum Computation;
Device Design;
Qubit Readout;
Control Interaction;
Multiphysics Modeling;
67.
Physics-augmented Neural Compact Model for Emerging Device Technologies
机译:
物理增强的新兴设备技术神经紧凑模型
作者:
Yohan Kim
;
Sanghoon Myung
;
Jisu Ryu
;
Changwook Jeong
;
Dae Sin Kim
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Compact Model;
PDK;
SPICE Circuit Simulation;
Machine Learning;
Artificial Neural Networks;
Physical theory augmentation;
Emerging device modeling;
PPA and DTCO;
68.
Numerical study of surface chemical reactions in 2D-FET based pH sensors
机译:
基于2D-FET的pH传感器中表面化学反应的数值研究
作者:
A. Toral-Lopez
;
E.G. Marin
;
J. Cuesta
;
F.G. Ruiz
;
F. Pasadas
;
A. Medina-Rull
;
A. Godoy
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
pH;
ISFET;
Site-Binding;
modified Site-Binding;
Potential of Mean Force;
69.
A Combined First Principles and Kinetic Monte Carlo study of Polyoxometalate based Molecular Memory Devices
机译:
基于多金属氧酸盐的分子存储器件的组合第一原理和动力学蒙特卡洛研究
作者:
P. Lapham
;
O. Badami
;
C. Medina-Bailon
;
F. Adamu-Lema
;
T. Dutta
;
D. Nagy
;
V. Georgiev
;
A. Asenov
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
70.
Modeling Assisted Room Temperature Operation of Atomic Precision Advanced Manufacturing Devices
机译:
建模的原子精密先进制造设备的室温操作
作者:
Xujiao Gao
;
Lisa A. Tracy
;
Evan M. Anderson
;
DeAnna M. Campbell
;
Jeffrey A. Ivie
;
Tzu-Ming Lu
;
Denis Mamaluy
;
Scott W. Schmucker
;
Shashank Misra
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
atomic precision advanced manufacturing (APAM);
room temperature operation;
current leakage;
semiclassical TCAD;
ionized impurity scattering;
71.
Effects of the Dielectric Environment on Electronic Transport in Monolayer MoS2: Screening and Remote Phonon Scattering
机译:
介电环境对单层MoS2中电子输运的影响:屏蔽和声子散射。
作者:
Maarten L. Van de Put
;
Gautam Gaddemane
;
Sanjay Gopalan
;
Massimo V. Fischetti
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
72.
AC NEGF Simulation of Nanosheet MOSFETs
机译:
纳米片MOSFET的AC NEGF模拟
作者:
Sung-Min Hong
;
Phil-Hun Ahn
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
73.
Enhanced Capabilities of the Nano-Electronic Simulation Software (NESS)
机译:
纳米电子仿真软件(NESS)的增强功能
作者:
Cristina Medina-Bailon
;
Oves Badami
;
Hamilton Carrillo-Nuñez
;
Tapas Dutta
;
Daniel Nagy
;
Fikru Adamu-Lema
;
Vihar P. Georgiev
;
Asen Asenov
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Integrated Simulation Environment;
Drift-Diffusion;
Kubo-Greenwood;
Gate Leakage;
Kinetic Monte Carlo;
Non-Equilibrium Green’s Function;
Six band k.p;
Effective mass;
Variability;
Integrated Simulation Environment;
Drift-Diffusion;
Kubo-Greenwood;
Gate Leakage;
Kineti;
74.
Electrostatic Potential Profile Generator for Two-Dimensional Semiconductor Devices
机译:
二维半导体器件的静电势轮廓发生器
作者:
Seung-Cheol Han
;
Jonghyun Choi
;
Sung-Min Hong
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
75.
Self-Aligned Single Diffusion Break Technology Optimization Through Material Engineering for Advanced CMOS Nodes
机译:
通过材料工程对先进CMOS节点进行自对准单扩散中断技术优化
作者:
Ashish Pal
;
El Mehdi Bazizi
;
Liu Jiang
;
Mehdi Saremi
;
Blessy Alexander
;
Buvna Ayyagari-Sangamalli
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Self-aligned Single Diffusion Break;
FinFET;
Stress relaxation;
Ring-oscillator;
76.
L-UTSOI: A compact model for low-power analog and digital applications in FDSOI technology
机译:
L-UTSOI:紧凑型模型,用于FDSOI技术中的低功耗模拟和数字应用
作者:
Sébastien Martinie
;
Olivier Rozeau
;
Thierry Poiroux
;
Patrick Scheer
;
Salim El Ghouli
;
Mihyun Kang
;
André Juge
;
Harrison Lee
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
L-UTSOI;
compact model;
SPICE;
FDSOI;
77.
Electromigration Model for Platinum Hotplates
机译:
铂金电炉的电迁移模型
作者:
Lado Filipovic
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Electromigration;
platinum;
microheater;
Semiconductor metal oxide gas sensor;
78.
Compact Modeling of Radiation Effects in Thin-Layer SOI-MOSFETs
机译:
薄层SOI-MOSFET辐射效应的紧凑建模
作者:
Mitiko Miura-Mattausch
;
Hideyuki Kikuchihara
;
Shunsuke Baba
;
Dondee Navarro
;
Takahiro Iizuka
;
Keita Sakamoto
;
Hans Juergen Mattausch
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
radiation effect;
ETSOI;
SOTB;
compact model;
HiSIM;
circuit simulation;
malfunction;
79.
Complementary FET Device and Circuit Level Evaluation Using Fin-Based and Sheet-Based Configurations Targeting 3nm Node and Beyond
机译:
互补式FET器件和电路级评估,使用针对3nm节点及以上的基于鳍和基于薄片的配置
作者:
Liu Jiang
;
Ashish Pal
;
El Mehdi Bazizi
;
Mehdi Saremi
;
He Ren
;
Blessy Alexander
;
Buvna Ayyagari-Sangamalli
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Complementary FET;
FinFET;
Nano-sheet FET;
DTCO;
Ring Oscillator;
Circuit Modeling;
80.
Via Size Optimization for Optimum Circuit Performance at 3 nm node
机译:
通孔尺寸优化,可在3 nm节点上实现最佳电路性能
作者:
Sushant Mittal
;
Ashish Pal
;
Mehdi Saremi
;
El Mehdi Bazizi
;
Blessy Alexander
;
Buvna Ayyagari
会议名称:
《》
|
2020年
关键词:
Via optimization;
DTCO;
Ring Oscillator;
Circuit Modeling;
FinFET;
Nano-sheet FET;
RC delay;
Process Optimization;
81.
Time-Resolved Mode Space based Quantum-Liouville type Equations applied onto DGFETs
机译:
基于时间分辨模式空间的Quantum-Liouville型方程应用于DGFET
作者:
Lukas Schulz
;
Dirk Schulz
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
double gate field effect transistor;
mode space expansion;
numerical methods;
time-resolved quantum transport;
von-Neumann equation;
Wigner equation;
82.
Power Device Degradation Estimation by Machine Learning of Gate Waveforms
机译:
通过门波形的机器学习估计功率器件的退化
作者:
Hiromu Yamasaki
;
Koutaro Miyazaki
;
Yang Lo
;
A. K. M. Mahfuzul Islam
;
Katsuhiro Hata
;
Takayasu Sakurai
;
Makoto Takamiya
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
CNN;
Neural Network;
IGBT;
power device;
degradation;
reliability;
gate;
83.
Machine Learning Prediction of Defect Formation Energies in a-SiO2
机译:
α-SiO2中缺陷形成能的机器学习预测
作者:
Diego Milardovich
;
Markus Jech
;
Dominic Waldhoer
;
Michael Waltl
;
Tibor Grasser
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
84.
Novel Optimization Method using Machine-learning for Device and Process Competitiveness of BCD Process
机译:
基于机器学习的BCD装置和工艺竞争力的优化方法
作者:
Junhyeok Kim
;
Jae-Hyun Yoo
;
Jaehyun Jung
;
Kwangtea Kim
;
Jaehyun Bae
;
Yoon-suk Kim
;
OhKyum Kwon
;
UiHui Kwon
;
DaeSin Kim
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
BCD process;
optimization;
machine-learning;
LDMOS;
statistical modelling;
85.
Real-Time TCAD: a new paradigm for TCAD in the artificial intelligence era
机译:
实时TCAD:人工智能时代TCAD的新范例
作者:
Sanghoon Myung
;
Jinwoo Kim
;
Yongwoo Jeon
;
Wonik Jang
;
In Huh
;
Jaemin Kim
;
Songyi Han
;
Kang-hyun Baek
;
Jisu Ryu
;
Yoon-Suk Kim
;
Jiseong Doh
;
Jae-ho Kim
;
Changwook Jeong
;
Dae Sin Kim
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
TCAD;
neural network (NN);
convolutional neural network (CNN);
recurrent neural network (RNN);
Real-time prediction;
Real-time optimization;
active learning.;
86.
Application of Noise to Avoid Overfitting in TCAD Augmented Machine Learning
机译:
在TCAD增强机器学习中应用噪声以避免过度拟合
作者:
Sophia Susan Raju
;
Boyan Wang
;
Kashyap Mehta
;
Ming Xiao
;
Yuhao Zhang
;
Hiu-Yung Wong
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Gallium Oxide;
Machine Learning;
Noise;
Schottky Barrier Diode;
TCAD;
87.
Automatic Device Model Parameter Extractions via Hybrid Intelligent Methodology
机译:
通过混合智能方法自动提取设备模型参数
作者:
Cheng-Che Liu
;
Yiming Li
;
Ya-Shu Yang
;
Chieh-Yang Chen
;
Min-Hui Chuang
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Automatic model parameter extraction;
Hybrid intelligent methodology;
Multiobjective evolutionary algorithms.;
88.
Physics-Informed Graph Neural Network for Circuit Compact Model Development
机译:
用于电路紧凑模型开发的物理信息图神经网络
作者:
Xujiao Gao
;
Andy Huang
;
Nathaniel Trask
;
Shahed Reza
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
physics informed graph neural network (pigNN);
compact model development;
topological data analysis (TDA);
TCAD;
non-ideality factor;
Shockley-Read-Hall;
89.
Theoretical study of electronic transport in monolayer SnSe
机译:
单层SnSe中电子输运的理论研究
作者:
Sanjay Gopalan
;
Gautam Gaddemane
;
Maarten L. Van de Put
;
Massimo V. Fischetti
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Monolayer SnSe;
DFT;
Monte Carlo;
transport;
mobility;
90.
Transient simulation of graphene FET gated by electrolyte medium
机译:
电解质介导的石墨烯FET的瞬态模拟
作者:
Koki Arihori
;
Matsuto Ogawa
;
Satofumi Souma
;
Junko Sato-Iwanaga
;
Masa-aki Suzuki
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
91.
Quantum Transport Simulations of Phosphorene Nanoribbon MOSFETs: Effects of Metal Contacts, Ballisticity and Series Resistance
机译:
磷纳米带MOSFET的量子传输模拟:金属接触,弹道和串联电阻的影响
作者:
Mirko Poljak
;
Mislav Matić
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
ballisticity;
FET;
metal contacts;
nanoribbon;
NEGF;
phosphorene;
series resistance;
quantum transport;
92.
High-Performance Metal-Ferroeletric-Semiconductor Nanosheet Line Tunneling Field Effect Transistors with Strained SiGe
机译:
应变SiGe高性能金属铁电半导体纳米片线隧穿场效应晶体管
作者:
Narasimhulu Thoti
;
Yiming Li
;
Sekhar Reddy Kola
;
Seiji Samukawa
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Nanosheet line TFETs;
MFS;
Hf0.5Zr0.5O2;
and SiGe.;
93.
A First-principles Study on the Strain-induced Localized Electronic Properties of Dumbbell-shape Graphene Nanoribbon for Highly Sensitive Strain Sensors
机译:
高灵敏度应变传感器的哑铃形石墨烯纳米带应变诱导的局部电子性质的第一性原理研究
作者:
Qinqiang Zhang
;
Ken Suzuki
;
Hideo Miura
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
graphene nanoribbon;
dumbbell-shape;
strain-induced;
first-principles;
local electronic properties;
94.
Multiband Phase Space Operator for Narrow Bandgap Semiconductor Devices
机译:
窄带隙半导体器件的多频带相空间算符
作者:
Lukas Schulz
;
Dirk Schulz
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Interband tunneling;
multiband Hamiltonians;
phase space operator;
Wigner equation.;
95.
Agile Pathfinding Technology Prototyping: the Hunt for Directional Correctness
机译:
敏捷寻路技术原型:寻找方向正确性
作者:
Daniel Chanemougame
;
Jeffrey Smith
;
Paul Gutwin
;
Brandon Byrns
;
Lars Liebmann
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
Pathfinding DTCO;
PDK;
PPAC;
LGAA;
CFET;
technology prototyping;
compact modeling;
parasitic extraction;
timing characterization;
synthesis place and route;
96.
On the Physical Mechanism of Negative Capacitance Effect in Ferroelectric FET
机译:
铁电FET负电容效应的物理机理
作者:
Masaharu Kobayashi
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2020年
关键词:
negative capacitance;
ferroelectric FET;
polarization;
subthreshold swing;
DIBL;
NDR;
charged defect.;
意见反馈
回到顶部
回到首页