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磁控溅射Ta-N薄膜的结构和电性能

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氮化钽压阻材料具有高温稳定性好、电阻温度系数小、应变因子大等优点，被广泛应用于航空发动机等极端条件下的应变测量。采用射频磁控溅射在Si(111)基片上制备了Ta-N薄膜，研究了氮分压、基片温度、溅射功率对薄膜微观结构和电性能的影响。试验结果表明，氮分压对Ta-N薄膜的微观结构和电性能有很大影响，随着氮分压从2%上升到12%，所制备薄膜分别为六角Ta2N、六角TaN和面心立方TaN，当在氮分压为8%的时候，薄膜的方阻最大，此时薄膜为六角TaN结构，适合于高温薄膜应变计研制。

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来源
《2008年航空试验测试技术峰会》|2008年|322-324|共3页
会议地点南昌
作者
周平贤; 刘兴钊; 李言荣;
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作者单位

中国航空学会;

测控技术编辑部;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类薄膜技术;
关键词
氮化钽薄膜; 射频磁控溅射; 方阻; 氮化钽压阻材料; Si基片温度; 薄膜应变计; 电性能;

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