首页> 中文会议>第十五届全国分子光谱学学术会议 >电子束蒸发立方氮化硼薄膜的光学性质

电子束蒸发立方氮化硼薄膜的光学性质

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文用电子束蒸发法制备了c-BN薄膜，衬底采用单面抛光n型Si(100),在背底真空为1.3×10-3 Pa,电子枪束流为80 mA,衬底温度为室温的条件下蒸发镀膜40 min,再将BN薄膜样品在氮气保护下900℃退火1 h.所得BN薄膜含量用傅里叶变换红外光谱(FTIR)进行表征,c-BN薄膜中立方相含量约为90%，使用紫外-可见光谱仪采集薄膜样品的反射光谱R(λ),根据反射光谱R(λ)利用Kramers-Kronig变换关系,得到样品的折射率n和吸收系数α。

著录项

来源
《第十五届全国分子光谱学学术会议》|2008年|439-440|共2页
会议地点泉州
作者

展开▼
作者单位

中国光学学会;

中国化学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类光化学分析法（光谱分析法）;
关键词
氮化硼薄膜; 薄膜光学; 红外光谱; 紫外光谱;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 高温高压下立方氮化硼和六方氮化硼的结构、力学、热力学、电学以及光学性质的第一性原理研究 [J] . 吕常伟 ,王臣菊 ,顾建兵 . 物理学报 . 2019,第007期
2. 电子束蒸发制备氮化硼薄膜的红外光谱研究 [J] . 邓金祥 ,郭清秀 ,崔敏 . 光散射学报 . 2009,第004期
3. 电子束蒸发沉积金属-TiO_2薄膜的结构和光学性质 [J] . 周兵 ,江晓红 ,沈瑞琪 . 南京理工大学学报 . 2010,第4期
4. 氧分压对电子束蒸发SiO_2薄膜机械性质和光学性质的影响 [J] . 邵淑英 ,范正修 ,邵建达 . 光子学报 . 2005,第5期
5. 立方氮化硼电子结构和光学性质的第一性原理计算 [J] . 李耀 ,张卫平 ,杨强 . 材料导报：纳米与新材料专辑 . 2011,第002期
6. 电子束蒸发制备立方氮化硼薄膜的表面分析 [C] . 汪旭洋 ,邓金祥 ,赵卫平 . 2009全国功能材料科技与产业高层论坛 . 2009
7. 电子束蒸发法制备立方氮化硼薄膜及其光电性质研究 [A] . 汪旭洋 . 2009

电子束蒸发立方氮化硼薄膜的光学性质

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅