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基于BZO衬底的高效非晶硅及非晶/微晶硅叠层太阳电池

摘要

高电导率、宽带隙的p型纳米硅氧(p-nc-SiOx∶H)材料作为非晶硅电池(a-Si∶H)的窗口层,使得短波响应得到明显的提升.但是由于宽带隙的p-nc-SiOx∶H的引入,使得p/i界面能带失配,恶化电池的性能.因此将具有低激活能和较低缺陷态密度的本征非晶硅氧(i-a-SiOx∶H)材料作为缓冲层,获得效率为10.64%的单结a-Si∶H电池.另,通过优化氢气处理i-a-SiOx∶H材料,得到了效率达到11.01%的高效单结非晶硅和13.41%的非晶/微晶硅叠层电池.

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