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用硫化法制备的Cu2(Zn,Sn)(Se,S)4薄膜及太阳能电池的特性研究

摘要

本研究采用真空法制备CZTSeS,即采用共蒸发法在200℃下沉积Cu-Zn-Sn-Se的前驱体之后在HZS氛围中500℃下退火而得到CZTSeS薄膜。利用拉曼、发光及XRF等对退火前后的薄膜特性及组分做了分析。并由此制备出转化效率超过8%的器件,在次基础上对器件特性进行了分析。

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