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GaAs HEMT低噪声放大器设计

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分析了低噪声放大器稳定性、噪声系数等重要技术指标，论述了低噪声放大器(LNA)及兰格耦合器的设计方法。根据设计指标选择富士通公司的FHX14LG(GaAs HEMT)低噪声放大管，利用Smith圆图进行了匹配电路的设计。采用平衡放大器有效地改善了输入驻波比。最终两级放大器在8 GHz 12 GHz频率范围内增益>20 dB，噪声系数≤1.15 dB，输入、输出驻波比<1.65，带内增益平坦度≤0.76 dB。

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来源
《陕西省物理学会2007年学术年会》|2007年|20-23|共4页
会议地点西安
作者
何琳; 李德昌; 姜雨男; 曲越;
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作者单位

陕西省物理学会;

中国物理学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类低噪声放大器;设计、分析、计算;
关键词
LNA; 平衡放大器; 低噪声放大器; 匹配电路; 噪声系数; 增益; 输入驻波比;

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