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几种SiC刻蚀方法的刻蚀速率

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在简单介绍了刻蚀SiC的几种方法的基础上重点讨论PE技术,RIE技术,ECR技术,ICP技术中对于SiC刺蚀速率的影响因素。通过前人所做的实验得出,刻蚀速率的影响因素主要是产生等离子体的刻蚀气体,通入的气体组分比,气体流速,反应室内的压力,衬底偏压,射频功率,刻蚀时间,温度等。不同的条件下刻蚀速率不一样。为得到最大刻蚀速率,目前使用ICP刻蚀方法最好。

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来源
《中国电子学会第十二届全国青年学术年会》|2006年|324-328|共5页
会议地点西安
作者
徐俊平; 杨银堂; 贾护军;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类材料;光刻、掩膜;
关键词
碳化硅; PE技术; RIE技术; ECR技术; ICP技术; 刻蚀速率; 刻蚀方法;

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