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Ar对柱状靶多弧直流磁控溅射制备的Cu3N薄膜的沉积速率、结构、形貌和热稳定的影响

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采用柱状靶多弧磁控溅射系统制备了氮化铜薄膜,利用XRD和SEM分析了薄膜的相结构和表面形貌,并采用真空热处理研究了氮化铜的热稳定性.结果表明,发现氩的加入对氮化铜薄膜的相结构没有明显的影响,但是对薄膜表面的形貌有较大影响,从纯氮气的圆形颗粒状到氮氩混合的棱角状的颗粒;氮氩混合制备的氮化铜薄膜的热稳定性比纯氮气制备的薄膜热稳定性差。

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来源
《第六届全国表面工程学术会议暨首届青年表面工程学术论坛》|2006年|419-423|共5页
会议地点兰州
作者
王明旭; 兰州工业高等专科学校; 张广安; 吴志国; 范晓彦; 闫鹏勋; 中国科学院兰州化学物理研究所;
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作者单位

中国机械工程学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类化合物半导体;
关键词
直流磁控溅射; 氮化铜薄膜; 薄膜相结构; 热稳定性; 真空热处理;

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