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分辨率增强技术在65 nm-45 nm ArF光刻中的应用

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本文介绍了分辨率增强技术(RET)对65nm-45nmArF光刻性能的影响.通过某种RET技术或它们的结合应用,利用PROLITH和自主开发的光刻仿真软件MicroCruisor,分析了全曝光场内,像差、杂散光、偏振、掩模误差因子、工件台同步运动精度(MSD)等,对不同密度线条光刻性能的影响.结果表明,考虑IC制造实际条件的诸多影响因素后,在一定的焦深内获得满足光刻性能要求的图形,必须重新优化所使用的RET,同时需要光刻设备、掩模、IC设计、工艺和相关RET等的协同设计研制.

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来源
《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》|2005年|24-33|共10页
会议地点长沙
作者
李艳秋; 张飞; 中国科学院研究生院;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类光刻、掩膜;
关键词
分辨率增强; ArF光刻; 离轴照明; 相移掩模; PROLITH;

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