分辨力增强技术在65 nm浸没式ArF光刻中的应用

李艳秋; 黄国胜

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分辨力增强技术在65 nm浸没式ArF光刻中的应用

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首次利用自主研发的光刻辅助设计软件MicroCruiser结合Prolith8.0.2,研究了分辨力增强技术在65 nm浸没式ArF光刻中的应用,研究表明,相移掩模结合传统照明可以获得较大的工艺窗口,但是,引起的曝光图形偏移较大.而传统掩模结合离轴照明可以获得较大的工艺窗口,但是,引起的曝光图形偏移较小.因而,通过对单个像差的控制和进行的不同Zernike系数组合,可以大大减少曝光图形的偏移.

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来源
《电子工业专用设备》 |2004年第11期|9-13,22|共6页
作者
李艳秋; 黄国胜;
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作者单位

中国科学院电工研究所,北京,100080;

中国科学院电工研究所,北京,100080;

中国科学院研究生院,北京,100080;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光刻、掩膜;
关键词
浸没式ArF光刻; 下一代光刻; 像差和图形偏移; 工艺窗口; 光刻仿真;

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