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SiGe-半导体材料的新生力量

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摘要

SiGe材料就是在Si中引入适量的Ge形成SiGe合金。用SiGe合金作晶体管的基区，由于Ge的引入，使基区能带变窄，从而大大提高了发射区电子的注入效率。本文分别探讨了SiGe的优势、制备技术、材料技术的发展趋势及器件、电路发展趋势。

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来源
《第三届高新技术用石英制品及相关材料技术与市场研讨会》|2005年|45-48|共4页
会议地点重庆
作者
张静;
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作者单位

中国电子材料行业协会;

中国建筑玻璃与工业玻璃协会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类掺杂;
关键词
SiGe材料; 半导体材料; 晶体管基区; 电子注入效率;

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