第三届高新技术用石英制品及相关材料技术与市场研讨会-中文会议【掌桥科研】

全选（0）

1.国外等离子体技术的近期发展及应用动向
- 邱富仁
- 《第三届高新技术用石英制品及相关材料技术与市场研讨会》 | 2005年
摘要：本文介绍了等离子体的含义和分类，又介绍了直流电弧等离子体技术、高频等离子体发生技术及微波等离子体发生技术的原理和特点，然后论述了热等离子体的主要应用领域，以及等离子体制备球形粉体与合成纳米粉体材料的方法。
2.单晶硅生产用石英坩埚原料
- 金小宁;洪璐
- 《第三届高新技术用石英制品及相关材料技术与市场研讨会》 | 2005年
摘要：本文论述了单晶硅对石英坩埚的要求，又论述了石英坩埚对原料的要求，探讨了中国石英原料的生产发展现状，最后探讨了石英坩埚原料的种类和生产方法以及发展趋势。
3.SiGe-半导体材料的新生力量
- 张静
- 《第三届高新技术用石英制品及相关材料技术与市场研讨会》 | 2005年
摘要：SiGe材料就是在Si中引入适量的Ge形成SiGe合金。用SiGe合金作晶体管的基区，由于Ge的引入，使基区能带变窄，从而大大提高了发射区电子的注入效率。本文分别探讨了SiGe的优势、制备技术、材料技术的发展趋势及器件、电路发展趋势。
4.光伏产业高速发展对硅材料业的驱动
- 鲁瑾
- 《第三届高新技术用石英制品及相关材料技术与市场研讨会》 | 2005年
摘要：本文针对光伏产业高速发展的状况探讨了如下三个问题，包括：1、发展太阳能已成为各国新能源战略的重要组成部分；2、光伏产业发展拉动太阳能电池用硅材料需求增长；3、改变中国当前多晶硅的严重短缺局面迫在眉睫。
5.石英砂(粉)中铁杂质的赋存状态及去除方法
- 郑水林
- 《第三届高新技术用石英制品及相关材料技术与市场研讨会》 | 2005年
摘要：在石英的各种用途中，铁往往是一种有害的杂质。因此，除铁是石英粉体材料的重要加工技术之一。本文从分析石英矿砂中铁杂质的赋存状态出发，介绍了铁杂质的可选性分析方法和去除方法。
6.国际光纤制造技术的最新发展
- 唐仁杰
- 《第三届高新技术用石英制品及相关材料技术与市场研讨会》 | 2005年
摘要：本文综述国际光纤制造技术的最新发展。内容主要包括纯二氧化硅芯低水峰光纤、提高受激布里渊散射阈值的低水峰光纤、抗弯曲的低水峰光纤、低水峰非零色散光纤等新型光纤的最新研制成果以及PCVD制造低水峰预制棒的技术突破、RIC工艺的最新发展水平。
7.球形石英粉及其应用
- 蒋学鑫
- 《第三届高新技术用石英制品及相关材料技术与市场研讨会》 | 2005年
摘要：球形石英粉因其具有高流动性、低放射性等优良性能，而被广泛应用于载有集成电路半导体的环氧塑封料等高技术领域。本文作者介绍了球形石英粉的概念、分类、性质及应用领域。
8.封装树脂用填充剂的研究
- 谢广超
- 《第三届高新技术用石英制品及相关材料技术与市场研讨会》 | 2005年
摘要：在封装树脂的组成中，填充剂是最主要的成分之一，也是含量最高的组分，所以填充剂对封装树脂的性能起着决定性作用。本文主要从封装树脂用填充剂的种类以及在封装树脂中的作用进行阐述，并以二氧化硅为例来研究分析填充剂对封装树脂主要性能的影响。
9.大规模集成电路级硅单晶硅使用石英坩埚发展介绍
- 黄振飞;王文
- 《第三届高新技术用石英制品及相关材料技术与市场研讨会》 | 2005年
摘要：为实现大规模集成电路的发展，硅片直径正在不断扩大，导致了硅单晶生长使用的石英坩埚直径也在扩大化。由于集成电路特征线宽缩小，对硅片生长过程提出了更高的要求。为解决大直径硅片生长过程使用石英坩埚存在问题如纯度，对单晶生长影响问题，国外石英生产厂家通过对石英坩埚生长过程环境，原料，检验设备，包装和服务等环节控制加上在石英坩埚生产过程中开发的技术专利如内涂层技术，有效解决了大直径单晶使用大直径石英坩埚过程中存在的问题。
10.电子材料行业发展现状及建议
- 袁桐
- 《第三届高新技术用石英制品及相关材料技术与市场研讨会》 | 2005年
摘要：本文介绍了2004年电子材料行业的现状，如半导体硅材料、压电晶体材料、磁性材料等，然后探讨了行业发展中遇到的主要困难和问题以及2005～2010年的发展目标，并提出了相应的解决对策。