首页> 中文会议>第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会 >InP单晶材料发展与现状

InP单晶材料发展与现状

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

介绍了制备InP单晶材料的主要方法,包括传统液封直拉式技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉式技术(VCZ/PC-LEC)垂直梯度凝固技术(VGF)/垂直布里奇曼技术(VB)等.对这些方法进行了分析和对比,指出各种方法的优势和发展方向.还讨论了大直径InP单晶生长技术的发展和关键因素.

著录项

来源
《第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会》|2005年|212-217|共6页
会议地点北京
作者
孙聂枫; 周晓龙; 陈秉克; 孙同年;
展开▼
作者单位

中国半导体行业协会;

中国国际贸易促进委员会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类其他炉;
关键词
单晶材料; 液封直拉式; 垂直布里奇曼; 晶片位错密度; 成熟热场配置; 拉晶工艺条件;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. InP单晶材料现状与展望 [J] . 孙聂枫 ,周晓龙 ,陈秉克 . 电子工业专用设备 . 2005,第010期
2. 国外InP HEMT和InP HBT的发展现状及应用 [J] . 姚立华 . 半导体技术 . 2009,第11期
3. InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅰ) [J] . 齐志华 ,李献杰 . 半导体技术 . 2009,第8期
4. InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅱ) [J] . 齐志华 ,李献杰 . 半导体技术 . 2009,第9期
5. 锗单晶材料的发展现状 [J] . 董汝昆 ,吴绍华 ,王柯 . 红外技术 . 2021,第005期
6. Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料发展动态 [C] . 郑安生 ,钱嘉裕 ,韩庆斌 . 海峡两岸第七届照明科技与营销研讨会 . 2000
7. InP/GaAs、GaAs/Si、InP/GaAs/Si异质外延生长技术及其在集成光电子器件中的应用 [A] . 吕吉贺 . 2008

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号