4H-SiC同质外延中的缺陷

著录项

• 来源
  《第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会》|2005年|251-254|共4页
• 会议地点 北京
• 作者

  李哲洋; 刘六亭; 董逊; 张岚; 许晓军; 柏松;

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• 作者单位

  中国半导体行业协会;

  中国国际贸易促进委员会;

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• 会议组织
• 正文语种
• 原文格式 PDF
• 中图分类 TN304.45;TM201.46;
• 关键词

  同质外延; 汽相沉积法; 微管; 位错; 扫描电子显微镜; 外延层;