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原子层淀积制备Al2O3薄膜及其特性研究

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以Al(CH3)3和H2O为反应源,在300℃下用原子层淀积(ALD)技术在Si衬底上生长了Al2O3薄膜.淀积好的Al2O3薄膜在高纯N2(99.999﹪)气氛中进行高温快速热退火处理.采用X射线反射谱(XRR)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)等方法对淀积好的Al2O3薄膜进行物理特性分析.XRR和XRS分析表明刚淀积薄膜的密度偏低,且Al/O之比大于1.5,这是由于薄膜中含有C、H杂质及未完全反应的Al(OH)3造成的.高温退火后,薄膜的Al/O之比为1.52,接近化学计量比的Al2O3,同时表面平均粗糙度(RMS)得到明显改善.

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来源
《第十届全国工程电介质会议》|2005年|216-220|共5页
会议地点成都
作者
卢红亮; 张卫; 徐敏; 陈纬; 任杰; 丁士进;
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作者单位

中国电工技术学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.21;
关键词
氧化铝薄膜; 介电性能; 原子层淀积; X射线反射谱; X射线光电子能谱;

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