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硅基铁电微声学器件中薄膜残余应力的研究

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本文采用基底曲率法测量了硅基铁电微声学器件中各层薄膜的残余应力情况,通过调节热氧化的二氧化硅层的厚度,优化了微声学器件中复合膜的残余应力,得到平整的振膜结构,提高了器件的可靠性和成品率.

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来源
《中国微米纳米技术第七届学术年会》|2005年|1289-1291|共3页
会议地点大连
作者
杨轶; 张宁欣; 任天令; 刘理天;
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作者单位

中国机械工程学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类声学仪器;铁电及压电器件;薄膜中的力学效应;
关键词
薄膜残余应力; 基底曲率法; 微声学器件; 硅基铁电;

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