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基于GMR纳米薄膜的磁场传感器研究

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本文通过高真空磁控溅射、离子束刻蚀、光刻、铝引线溅射、正胶剥离等工艺,制造了用GMR纳米薄膜作为核心部分的磁场传感器.经过退火工艺后的GMR薄膜的磁电阻变化率为7.91﹪,矫顽力为0.054π×103A/m(0.05Oe).用这种GMR薄膜制备的磁场传感器的线性区域为-154π×103～154π×103A/m,输出线性度为0.9993.这种高线性度的磁场传感器在汽车工业和自动化控制系统等领域中起到举足轻重的作用.

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来源
《中国微米纳米技术第七届学术年会》|2005年|127-129|共3页
会议地点大连
作者
刘华瑞; 欧阳可青; 任天令; 曲炳郡; 李伟; 刘理天;
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作者单位

中国机械工程学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类磁势和磁场强度测量及仪器;
关键词
磁场传感器; GMR纳米薄膜; 退火; 矫顽力;

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