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P-I-N结构纳米硅太阳电池的计算机性能仿真

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本文运用宾夕法尼亚大学开发的AMPS 软件，模拟了采用不同晶化度的nc-Si作P-I-N结构太阳电池的I层的性能；研究了不同I层厚度的情况下电池的Jsc, Voc, FF, Eff的变化。模拟结果说明，晶化度为42.78％的纳米硅作I层，得到了23.986﹪的转换效率；当I 层厚度在500nm 的时，太阳电池光电效率Eff有最大值。

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来源
《第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛》|2004年||共10页
会议地点深圳
作者
顾江敏; 何宇亮; 于化丛; 崔容强; 周之斌; 杨宏; 王鹤; 孟凡英; 赵亮; 彭华;
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作者单位

中国太阳能学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类计算机仿真;
关键词
太阳电池; 计算机模拟; 性能仿真; 纳米硅;

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