首页> 中文会议>第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛 >热丝化学气相沉积n型nc-Si:H薄膜及异质结太阳电池的研究

热丝化学气相沉积n型nc-Si:H薄膜及异质结太阳电池的研究

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术制备n 型纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜，系统研究了沉积参数，特别是掺杂浓度对薄膜微结构、电学性质和缺陷态的影响，获得了器件质量的n 型nc-Si:H 薄膜。制备了nc-Si:H/c-Si HIT (Heterojunction with Intrinsic Thin-layer) 结构太阳能电池，研究了异质结结构参数对电池性能的影响，初步得到电池性能参数如下：Voc=483mV，Jsc=29.5mA/cm2，FF=70﹪，η=10.2﹪。

著录项

来源
《第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛》|2004年||共4页
会议地点深圳
作者
张群芳; 朱美芳; 刘丰珍; 刘金龙; 许颖;
展开▼
作者单位

中国太阳能学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类太阳能发电;太阳能电池;
关键词
热丝化学气相沉积; 纳米晶硅; 异质结; 太阳能电池;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. nc-Si：H/c-Si硅异质结太阳电池中本征硅薄膜钝化层的优化 [J] . 乔治 ,解新建 ,薛俊明 . 物理化学学报 . 2015,第006期
2. 纳米硅(nc-Si∶H)/晶体硅(c-Si)异质结太阳电池计算机模拟 [J] . 胡志华 ,夏朝凤 ,徐德林 . 云南师范大学学报（自然科学版） . 2003,第003期
3. OVC薄膜材料及其对CIGS薄膜太阳电池异质结的改进 [J] . 薛玉明 ,孙云 ,朴英美 . 功能材料 . 2004,第0z1期
4. CdS薄膜及Si基底对CdS/Si异质结太阳电池性能影响的数值模拟 [J] . 段春艳 ,赵影文 ,班群 . 中国高新科技 . 2019,第004期
5. CdS薄膜及Si基底对CdS/Si异质结太阳电池性能影响的数值模拟 [J] . 段春艳1 ,赵影文2 ,班群1 . 中国高新科技 . 2019,第004期
6. 适用于太阳电池的nc-Si:H薄膜及nc-Si/c-Si异质结的研究 [C] . 陈哲艮 ,金步平 ,朱正菲 . 中国第七届光伏会议 . 2002
7. 钙钛矿型CH3NH3PbX3(X=I、Br)薄膜的制备及其平面异质结太阳电池的性能研究 [A] . 杨阳博文 . 2015

热丝化学气相沉积n型nc-Si:H薄膜及异质结太阳电池的研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅