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测量LPCVD Si<,3>N<,4>薄膜热导率的尺寸效应

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LPCVD Si<,3>N<,4>薄膜的热导率在微电子和MEMS器件的设计过程中都是一个重要的参数.当绝缘薄膜厚度与热能载子——声子的波长或相干常数(常温下约几百nm)相当甚至更小时,其热物性参数的尺寸效应将明显增强.通过我们开发的分布向上腐蚀法,成功的制作出镶嵌有NiCr/Ni热电偶的一系列厚度从50nm到1000nm的LPCVD Si<,3>N<,4>薄膜.我们利用付立叶定律,在大气和10<'-4>torr条件下测量了200nm、500nm、1000nm厚的LPCVD Si<,3>N<,4>薄膜的横向热导率.比较实验测量结果,观察到了固体理论中论述的绝缘薄膜热物性参数的尺寸效应.

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来源
《第八届敏感元件与传感器学术会议》|2003年|365-367|共3页
会议地点北京
作者
张建刚; 夏善红; 陈绍凤; 宋青林;
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作者单位

中国仪器仪表学会;

中国电子学会;

中国航空学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类薄膜技术;
关键词
LPCVD; Si,3N,4薄膜热导率; 分布向上腐蚀法; 尺寸效应;

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