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氧化锌纳米线的制备及表征

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我们采用了直接物理蒸发法制备了直径在50nm以下,在毫米大小区域内均匀分布的高纯度的ZnO纳米线膜层.所得ZnO纳米线大部分沿[0001]方向生长.我们研究了各实验参数对产物的影响,提出了分三步进行的VS生长机制.并应用类似方法制得了金属In纳米线,说明在该VS生长机制中,氧(或氧化物)的存在对纳米线的生长不是必须的.

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来源
《2002年中国材料研讨会》|2002年|131-135|共5页
会议地点北京
作者
章晓中; 刘军;
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作者单位

中国材料研究学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类特种结构材料;
关键词
ZnO纳米线; In纳米线; 制备方法; 物理蒸发法; 生长机制;

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