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自组织垂直堆垛InAs量子点材料的表征及HFET存储器件的应用

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本文报道了垂直堆垛InAs量子点的生长,光学性质,异质结场效应晶体管(HFET)器件外延结构及大的阈值电压偏移所产生的存储效应等工作.

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来源
《第八届全国固体薄膜学术会议》|2002年|93-94|共2页
会议地点长春
作者
李树玮; 缪国庆; 蒋红; 元光; 宋航; 金亿鑫; 小池一步; 矢野满明;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类场效应器件;
关键词
自组织半导体量子点; 异质结场效应晶体管; 分子束外延; 存储效应;

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