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陈昊;
中国电子学会;
中国有色金属学会;
化合物半导体材料;
机译:具有分子束外延生长的(411)A超平坦界面的拟晶InGaAs / AlGaAs量子阱中的界面突变性得到改善
机译:通过分子束外延生长的GaAs / AlGaAs和InGaAs / InAlAs异质结构中的超扁平(411)A界面和均匀波纹(775)B界面
机译:分子束外延生长用于高速调制的应变层InGaAs-GaAs-AlGaAs激光器
机译:通过分子束外延在(411)上生长的假形调制促进的N-AlgaAs / InGaAs / GaAs量子孔中的电学特性通过分子束外延产生GaAs基材
机译:通过分子束外延生长低无序GaAs / AlGaAs异质结构,以研究二维相关电子相。
机译:峰值波长控制的InGaAs / AlGaAs量子阱的分子束外延生长用于4.3μm中波长红外检测
机译:峰值波长控制的InGaAs / AlGaAs量子阱的分子束外延生长,用于4.3μm中波长红外检测
机译:通过分子束外延在Gaas衬底上的Inalas缓冲层上生长的InGaas / alGaas子带间跃迁结构
机译:分子束源细胞,分子束外延生长装置和分子束外延生长
机译:分子束外延生长设备的清洁方法,使用分子束外延生长设备制造基板的方法和设备
机译:用于精确控制外延膜的厚度和成分的分子束外延生长装置及其分子束控制方法
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