基于新型全固源分子束外延的As2和As4生长特性的研究

著录项

• 来源
  《第六届全国分子束外延学术会议》|2001年|47-48|共2页
• 会议地点 贵阳
• 作者

  任在元; 郝智彪; 何为; 罗毅;

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• 作者单位

  中国电子学会;

  中国有色金属学会;

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• 会议组织
• 正文语种
• 原文格式 PDF
• 中图分类 TN304.41;TN304.23;
• 关键词

  分子束外延生长; 生长特性; InAsP/InP; 砷; 半导体材料;