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AlxGa1-xAs/GaAs量子阱探测器的均匀性研究

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本文报导了128×1元Al<,x>Ga<,1-x>As/GaAs多量子阱探测器的均匀性研究.通过改进上下电极之间的绝缘工艺,使探测器的均匀性明显提高,其电阻不均匀性小于7.4﹪,平均响应率不均匀性小于10﹪,并获得清晰的手部热像.

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来源
《第六届全国分子束外延学术会议》|2001年|123-125|共3页
会议地点贵阳
作者
郭献东; 刘天东; 魏永乐; 谢东珠; 李洪发;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类红外探测、红外探测器;制造工艺及设备;
关键词
量子阱探测器; 均匀性; 制造工艺; AlGaAs/GaAs;

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