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GSMBE生长InGaP/GaAsHBT微结构材料研究

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制作高性能HBT的关键之一是获得界面质量优良的半导体超薄异质结构材料,分子束外延是生长HBT微结构材料的最先进技术之一.本文报道了GSMBE技术生长In<,0.49>Ga<,0.51>P/GaAsHBT微结构材料及其原型器件研究.

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来源
《第六届全国分子束外延学术会议》|2001年|27-28|共2页
会议地点贵阳
作者
陈晓杰;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.41:TN322.8;
关键词
分子束外延生长;

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