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赵永凯; 黄惠杰; 路敦武; 杜龙龙; 杨良民; 袁才来; 蒋宝财; 王润文;
中国电子学会;
嵌入式振幅掩模; 接近式光刻; 光刻分辨率; 基尔霍夫衍射定理;
机译:ArF水浸式光刻技术的后续产品:EUV光刻技术,多电子束无掩模光刻技术还是纳米压印技术?
机译:移动掩模光刻技术用于负性光刻胶的嵌入式微/纳米通道形成机理
机译:一种用于接触光刻的金属嵌入式光掩模,应用于图案化蓝宝石衬底上
机译:接近化学稳定性O嵌入式材料,用于减弱相移掩模和高透射率Attpsm在193 nm光刻中的0.1μm接触孔图案的应用
机译:通过形状识别索引的365 nm和257 nm激光光掩模光刻和多种分析物生物传感器的光刻胶建模。
机译:22 nm分辨率的无掩模等离子光刻
机译:采用双面(结构化)光掩模制作硅通孔制造的优化光刻工艺,用于掩模对准器光刻
机译:用于高分辨率离子光刻接近印刷的氮化硅模板掩模
机译:用于高分辨率光刻的掩模的制造方法,由此获得的掩模以及用于高分辨率光刻的多层元件
机译:由一个或多个处理器执行的一个或多个指令中的一个或多个指令中的一个,所述处理器执行用于形成光刻掩模版图的方法,用于形成光刻掩模版图的装置以及用于形成光刻掩模版图的方法。包含一个或多个序列的计算机可读介质。
机译:去除光刻胶掩模的方法,该光刻胶掩模用于在低K碳掺杂的氧化硅介电材料中制作通孔,并去除通孔形成中的蚀刻残留物并去除光刻胶掩模
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