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超高真空(UHV)PECVD系统沉积a-Si<1-X>C<,X>:H<,K>薄膜及其特性

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该文研究了应用新型的超高真空等离子增强化学气相沉积(UHV-PECVD)复合系统沉积a-Si<1-X>C<,X>:H<,K>薄膜及其特性。系统的真空度可达标10<'-9>Torr以上。通过控制H<,2>对常规用混合气体(SiH<,4>+CH<,4>)的稀释程度以及相应的CH<,4>比例，优化沉积工艺参数，制备出能带宽度范围变化较大的高质量非晶氢化硅碳(a-Si<1-X>C<,X>:H<,K>)薄膜。通过RBS、ERDA、IR和Ramam光谱等方法分析和确定这种薄膜材料的基本特性。对H<,2>氢衡释作用及其效应进行了分析。

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来源
《中国北方焊接学术会议》|2000年|312-316|共5页
会议地点太原
作者
容幸福; 高斌升; 秦志钰;
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作者单位

中国机械工程学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类薄膜技术;
关键词
超高真空系统; 等离子增强化学气相沉积; 非晶氢化硅碳薄膜; 薄膜沉积;

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