公开/公告号CN104775106B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-08-08
原文格式PDF
申请/专利权人 山东禹城汉能薄膜太阳能有限公司;
申请/专利号CN201510164849.7
申请日2015-04-09
分类号C23C16/513(20060101);C23C16/54(20060101);H01L21/205(20060101);
代理机构37218 济南泉城专利商标事务所;
代理人支文彬
地址 251200 山东省德州市禹城市高新区振兴大道汉能光伏产业园
入库时间 2022-08-23 09:59:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-26
专利权的转移 IPC(主分类):C23C 16/513 登记生效日:20190307 变更前: 变更后: 申请日:20150409
专利申请权、专利权的转移
2019-03-01
专利权的转移 IPC(主分类):C23C 16/513 登记生效日:20190202 变更前: 变更后: 申请日:20150409
专利申请权、专利权的转移
2019-03-01
专利权的转移 IPC(主分类):C23C 16/513 登记生效日:20190202 变更前: 变更后: 申请日:20150409
专利申请权、专利权的转移
2017-08-08
授权
授权
2017-08-08
授权
授权
2017-08-08
授权
授权
2015-08-12
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/513 申请日:20150409
实质审查的生效
2015-08-12
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/513 申请日:20150409
实质审查的生效
2015-08-12
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/513 申请日:20150409
实质审查的生效
2015-08-12
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/513 申请日:20150409
实质审查的生效
2015-07-15
公开
公开
2015-07-15
公开
公开
2015-07-15
公开
公开
2015-07-15
公开
公开
查看全部
机译： 前体化合物，使用相同的薄膜沉积方法以及非晶硅薄膜沉积方法
机译： 在高沉积速率下通过化学气相沉积将非晶硅薄膜沉积到大面积玻璃基板上的方法
机译： 非晶硅薄膜沉积方法，半导体器件制造方法和通过相同方法制造的半导体器件
