摘要:该文研究了应用新型的超高真空等离子增强化学气相沉积(UHV-PECVD)复合系统沉积a-Si<1-X>C<,X>:H<,K>薄膜及其特性。系统的真空度可达标10<'-9>Torr以上。通过控制H<,2>对常规用混合气体(SiH<,4>+CH<,4>)的稀释程度以及相应的CH<,4>比例,优化沉积工艺参数,制备出能带宽度范围变化较大的高质量非晶氢化硅碳(a-Si<1-X>C<,X>:H<,K>)薄膜。通过RBS、ERDA、IR和Ramam光谱等方法分析和确定这种薄膜 材料的基本特性。对H<,2>氢衡释作用及其效应进行了分析。