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穆甫臣; 谭长华; 许铭真;
中国电子学会;
超薄栅MOSFET; 老化特性; 栅电压漂移;
机译:双栅超薄SOI MOSFET $ C $ – $ V $特性的数值研究
机译:超薄埋氧化物三栅纳米线MOSFET的背栅偏置效应和短沟道效应的实验研究
机译:结合量子约束效应的超薄双栅极全栅(DGAA)MOSFET亚阈值特性的分析模型
机译:氮气植入物对栅电极对具有超薄氧化物和氮氧化物双栅MOSFET特性的影响
机译:具有氮化钽栅电极的氮氧化ha MOSFET的材料和器件特性的研究
机译:超薄Hf-Ti-O高k栅介电薄膜的电学特性及其在ETSOI MOSFET中的应用
机译:利用数据驱动和基于模型的方法在热应力加速老化下预测功率mosfets。
机译:实际应力下电荷转移阵列特性和老化的研究方法及电路及其对DRAM MOSFET阵列晶体管的实现
机译:实际应力下电荷转移阵列晶体管特性及老化的研究方法及电路及其在DRAM MOSFET阵列晶体管中的应用
机译:研究真实应力下电荷转移阵列晶体管特性和老化的方法和电路及其对DRAM MOSFET阵列晶体管的实现
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