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NTD FZ硅退火升τ实验

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通过对少子寿命τ＜１００ｕｓ的硅单晶时行退火升τ实验，结果表明：τ值的恢复与退火工艺参数－温度、时间、冷却速度等相关；比一次退火工艺更高的恒温温度，更长的恒温时间，更慢的冷却速度是升τ的关键。

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来源
《第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》|1999年|70-73|共4页
会议地点大连
作者
谢江帆; 张数;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.12;
关键词
硅单晶; τ值; 退火; 温度; 时间; 冷却速度;

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