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傅雄强;
中国电子学会;
硅外延工艺; 硅源; 本征电阻率;
机译:中空工艺在多孔硅上进行原位退火和高速率硅外延
机译:使用两步提升硅外延工艺的薄型(100)Channe绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管的电学特性和晶体质量分析
机译:在硅表面上反射地质素 - 原位硅表面蚀刻工艺中的电化学蚀刻过程的原位观察硅表面蚀刻的电化学蚀刻工艺
机译:利用SiGe:C的非选择性外延作为本征基和利用Poly-SiGe作为非本征基的自对准双多晶硅工艺
机译:用于纳米级CMOS集成电路的硅,硅锗和硅碳源极/漏极结的低电阻率接触方法。
机译:集成低电容二极管的掺砷高电阻率硅外延层
机译:用于开发和表征光伏硅的等离子体工艺的开发:通过PECVD沉积硅的外延薄层:通过LIBS测量固态(20°C)和液态(1414°C)的硅的纯度
机译:高电阻率硅发光现象的研究及低电阻率硅隧道电特性研究年度进展报告,1968年9月20日 - 1969年9月19日
机译:双极晶体管包括用于高频操作的硅层,第一类型的硅外延层,硅锗外延层和第二类型的硅外延层
机译:垂直MOS晶体管的生产包括在硅衬底上外延沉积由硅锗制成的本征牺牲层,沉积高掺杂硅层并进一步处理
机译:具有在高电阻率硅衬底部分上的无源器件以及在衬底上的低电阻率硅层中形成的有源器件的硅集成电路
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